較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良
發(fā)表于 04-18 10:52
近期,三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛,在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)
發(fā)表于 02-18 11:00
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據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的
發(fā)表于 01-22 15:54
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(High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本,三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升
發(fā)表于 01-22 14:27
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nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,在決定
發(fā)表于 01-22 14:04
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據(jù)外媒最新報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)其第四季度的利潤增長將呈現(xiàn)放緩趨勢,主要原因在于難以滿足英偉達(dá)對(duì)人工智能(AI)芯片的強(qiáng)勁市場需求。
發(fā)表于 01-08 14:33
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近日,據(jù)SamMobile的最新消息,英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對(duì)其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來說,這兩家公司正在評(píng)估將部分原計(jì)劃
發(fā)表于 01-06 10:47
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三星電子近期在韓國市場推出了一項(xiàng)創(chuàng)新的AI訂閱俱樂部計(jì)劃,該計(jì)劃旨在為消費(fèi)者提供一個(gè)全新的方式來體驗(yàn)和享受三星的高端家電及
發(fā)表于 12-13 15:42
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近日,英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近日在接受采訪時(shí)透露,英偉達(dá)正在全力加速對(duì)三星最新推出的AI存儲(chǔ)
發(fā)表于 11-26 10:22
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近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉
發(fā)表于 11-25 14:34
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據(jù)外媒最新報(bào)道,三星電子有望重新獲得英偉達(dá)的未來新款游戲芯片(GPU)制造訂單,這一消息為三星的市場前景注入了新的活力。
發(fā)表于 10-21 18:11
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近日,知名市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce在最新發(fā)布的報(bào)告中宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展:三星電子的HBM3E內(nèi)存產(chǎn)品已成功通過英偉達(dá)驗(yàn)證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi
發(fā)表于 09-05 17:15
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)差異導(dǎo)致的芯片翹曲及系統(tǒng)潛在故障問題。為解決這一問題,英偉達(dá)已著手重新設(shè)計(jì)GPU芯片的頂部金屬層和凸點(diǎn)結(jié)構(gòu),旨在提升產(chǎn)品
發(fā)表于 09-04 16:40
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進(jìn)入八月,市場傳言四起,韓國存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品)已順利通過英偉達(dá)嚴(yán)格測試。然而,
發(fā)表于 08-23 15:02
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近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達(dá)測試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
發(fā)表于 08-08 10:06
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評(píng)論