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意法半導(dǎo)體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-12 10:54 ? 次閱讀
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意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

此次推出的驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列特點(diǎn)鮮明,包括集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅(qū)動(dòng)器,這些特性使得它們能夠適應(yīng)各種復(fù)雜的工作環(huán)境,無論是工業(yè)應(yīng)用還是消費(fèi)電子領(lǐng)域,都能展現(xiàn)出出色的性能。

值得一提的是,STGAP系列隔離柵極驅(qū)動(dòng)器在安全性控制方面表現(xiàn)尤為突出。該系列驅(qū)動(dòng)器在輸入部分和被驅(qū)動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供了電氣隔離,這一設(shè)計(jì)有效地防止了電氣故障的發(fā)生,從而確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。此外,其無縫集成和優(yōu)質(zhì)性能的特點(diǎn)也使得它在市場上備受青睞。

針對(duì)SiC MOSFET的安全控制需求,ST還特別推出了STGAP2SICS系列驅(qū)動(dòng)器。這一系列產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化,可在高達(dá)1200V的高壓下工作,為節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制裝置提供了理想的解決方案。無論是在工業(yè)電動(dòng)汽車充電系統(tǒng),還是在太陽能、感應(yīng)加熱和汽車OBC DC-DC等領(lǐng)域,STGAP2SICS系列都能發(fā)揮出其卓越的性能,幫助用戶簡化設(shè)計(jì)、節(jié)省空間,并增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)健性和可靠性。

業(yè)內(nèi)專家表示,意法半導(dǎo)體此次推出的新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,不僅體現(xiàn)了公司在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力,也展示了其對(duì)市場需求的敏銳洞察。這些產(chǎn)品的推出,將為功率電子領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的進(jìn)步。

未來,意法半導(dǎo)體將繼續(xù)加大在功率電子領(lǐng)域的研發(fā)投入,推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品,滿足市場不斷變化的需求。同時(shí),公司也將致力于提升產(chǎn)品的性能和品質(zhì),為用戶提供更加優(yōu)質(zhì)的服務(wù)和解決方案。

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