我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進入質(zhì)量測試階
發(fā)表于 07-31 19:47
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40
發(fā)表于 04-18 10:52
5的6400 Mbps提升約33%,可處理8K視頻流、實時AI計算等密集型任務(wù)。三星近期推出的LPDDR5X-Ultra-Pro甚至將速率提升至12700 MT/s(
發(fā)表于 03-17 10:16
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在10700 MT/s運行。 ? 為了提高速度,三星必須在其DRAM芯片中添加四相自校準(zhǔn)和交流耦合收發(fā)器均衡。“四相自校準(zhǔn)環(huán)路”技術(shù),它能確保高速內(nèi)存接
發(fā)表于 02-28 00:07
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且能夠感知語境的移動AI體驗。此外,美光已首次向市場出貨能效領(lǐng)先的LPDDR5X內(nèi)存,其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng),
發(fā)表于 02-25 09:44
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三星近日發(fā)布白皮書,闡述了其在未來通信技術(shù)發(fā)展方面的最新進展。其中,最為引人注目的是三星計劃在 6G 通信系統(tǒng)中深度整合 AI
發(fā)表于 02-08 11:38
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據(jù)外媒報道,芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權(quán)許可費用,漲幅最高可達300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
發(fā)表于 01-23 16:17
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將
發(fā)表于 01-22 15:54
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三星電子近期在韓國市場推出了一項創(chuàng)新的AI訂閱俱樂部計劃,該計劃旨在為消費者提供一個全新的方式來體驗和享受
發(fā)表于 12-13 15:42
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據(jù)外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟,共同致力于推動LPDDR6的存內(nèi)計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化進程。此舉旨在加速人工智能
發(fā)表于 12-03 10:42
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近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔(dān)憂。他預(yù)測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會面臨內(nèi)存芯片價格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡
發(fā)表于 11-27 11:22
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近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的
發(fā)表于 11-25 14:34
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
發(fā)表于 11-14 16:44
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方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別
發(fā)表于 11-13 11:36
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