奧地利維也納工業(yè)大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)近日研發(fā)了全新的晶體管技術(shù)——可重構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（RFET），致力于打造具備實(shí)時(shí)可編程能力的電路。對(duì)比之下，作為計(jì)算機(jī)中央處理器（CPU）核心組成部分的數(shù)十億個(gè)晶體管，往往被專(zhuān)用于某個(gè)特定功能。

因此，常規(guī)晶體管的制造及生產(chǎn)步驟中包含了“化學(xué)摻雜”環(huán)節(jié)，即將純半導(dǎo)體材料引入雜質(zhì)，借此調(diào)整其電氣特性。這種摻雜方式直接影響電流流向，形成固定模式，無(wú)法進(jìn)行修改。相比之下，RFET采用靜電摻雜法，成功繞開(kāi)了對(duì)化學(xué)結(jié)構(gòu)造成永久性傷害的問(wèn)題。

通過(guò)靜電摻雜代替昂貴且繁瑣的化學(xué)摻雜后，晶體管得以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)的重新配置，換言之，執(zhí)行多樣化的邏輯算。研究員們認(rèn)為RFET堪稱(chēng)電子電路與芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的重要突破。類(lèi)似于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工業(yè)，RFET同樣基于硅和鍺兩類(lèi)材質(zhì)，但卻能大幅度提升能耗與效率。自2021年初起步至今，研究者已初步證實(shí)RFET能有效構(gòu)建芯片內(nèi)的全部基礎(chǔ)邏輯電路。

近期發(fā)布的研究論文揭示，RFET亦能應(yīng)用于生成反相器、NAND/NOR以及XOR/XNOR等電路，而且這些電路均具備運(yùn)行時(shí)動(dòng)態(tài)切換工作模式的能力。