圖1超導表征. (a)CsV3Sb5晶體結(jié)構(gòu).(b) 覆蓋有 h-BN 的樣品的光學圖像.(c) 歸一化電阻與不同厚度溫度的函數(shù)關(guān)系.(d) 80 nm 厚樣品的霍爾電阻(紅色)和微分電阻(藍色)的溫度依賴性。

2022 年，上海科技大學李軍研究員團隊在Research Square 發(fā)表了一篇題為《Nonreciprocal Charge Transport in Topological Kagome Superconductor CsV3Sb5》文章，報道了超導 CsV3Sb5 薄片中強烈的非互易輸運現(xiàn)象。 二次諧波電壓主要源于渦旋運動的整流效應，是由面內(nèi)和面外磁場明確產(chǎn)生的，其幅度與非中心對稱超導體相當。 二次諧波磁阻分裂成幾個峰值，其中一些通過使超導過渡內(nèi)的磁場或電流傾斜而反轉(zhuǎn)它們的符號。 特殊非互易輸運現(xiàn)象的渦旋動力學由非常規(guī)超導配對對稱性主導，為探索 CsV3Sb5 中可能的拓撲超導性提供了一條有希望的途徑。

樣品 & 測試

傳輸測量在 PPMS 中進行。四端直流和交流信號分別由 Keithley 2400 和 2182a 組以及Keithley 6221 和 OE1022 鎖定放大器組測量。一次和二次諧波電阻定義為Rω = Vω/I0和R2ω = V 2ω/I0，其中I0是幅度是施加的交流電流的幅度，以及一次和二次諧波電壓的 V ω和 V。電流頻率設(shè)置為 113 Hz 以降低噪聲，二次諧波信號的相位設(shè)置為 π/2。

圖2 (a) (b)分別沿 ab 平面和 c 軸應用的 B 下的第一(頂部)和第二(底部)諧波信號的 R - T 曲線。 虛線是二次諧波信號起始溫度的指南。(C)B = 0.1 T 下 - T 曲線的過渡區(qū)域。紅色虛線是順導貢獻的 Aslamazov-Larkin 擬合曲線

圖3磁場和溫度的關(guān)系

圖4.相干長度和非線性系數(shù)。

圖5當前對非互易性的依賴。

總結(jié)

我們研究了超導 CsV3Sb5 薄片中的非互易傳輸。 隨著晶體厚度的減小，我們發(fā)現(xiàn)隨著與CDW的競爭，超導性先增強后抑制。 當超導發(fā)生時，可以檢測到強烈的非互易信號，其強度可與人工結(jié)構(gòu)化或非中心對稱的超導體相媲美。 二次諧波電阻可以觀察為沿 ab 平面和 c 軸的磁場，這基本上可以歸因于渦旋棘輪運動。 相對于磁場的非互易信號分裂成幾個與磁場不對稱的峰系列。 順導區(qū)域的非互易性可以反映超導的本征性質(zhì)。 我們認為破壞反轉(zhuǎn)對稱性的拓撲帶和表面狀態(tài)可能會在 CsV3Sb5 超導體中引起磁手性。

審核編輯 黃宇