電平移位

優(yōu)點：高性價比，高可靠性，自舉供電，靜態(tài)電流小 IQ (~uA)等

缺點: <1500V應用，抗擾度50V/ns

電容隔離

優(yōu)點: 更高耐壓，CMTI更高 (>100V/ns)等

缺點: 成本較高，需隔離電源，靜態(tài)電流大 IQ (~mA)

?

PN7113ASE-A1

◆ 高壓Level shift電平移位半橋架構(gòu)，浮置工作電壓超600V

◆高側(cè)自舉Bootstrap供電

◆工作電壓10V~20V

◆輸入電平兼容3.3V/5V

◆高低側(cè)均設欠壓保護

◆VS負偏壓能力達-8V

◆ 互鎖Interlock防直通輸出功能

01

優(yōu)異的高壓動態(tài)延時表現(xiàn), 滿足大功率高頻應用

在高側(cè)浮置電平600V滿電壓范圍下（VS=600V,VB=615V），PN7113A芯片測試典型開通延時tDON=79.6ns， TDOFF=80ns，以及脈寬失配時間都優(yōu)于國際產(chǎn)品。穩(wěn)定較快的動態(tài)延時可以使得系統(tǒng)無懼高頻應用。

圖2 600V工作情況下的開通波形（PN7113A: tDON=79.6ns）

圖3 600V工作情況下的關斷波形（PN7113A: TDOFF=80ns）

圖4 600V工作情況下的開通波形（國際P2P產(chǎn)品:tDON=82ns）

圖5 600V工作情況下的關斷波形（國際P2P產(chǎn)品:TDOFF=80.8ns）

圖2和圖3分別所示的是VS=600V下的開通與關斷波形。圖4和圖5分別所示的是國際P2P產(chǎn)品在VS=600V下的開通與關斷波形。

02

優(yōu)異的功耗表現(xiàn),提升系統(tǒng)工作效率

圖6 400V高負荷極限運行（PN7113A殼溫：45.7℃）

圖7 400V高負荷極限運行（國際P2P兼容產(chǎn)品殼溫：53.5℃）

PN7113A采用了低功耗技術。在VCC/VBS=

15V、VBUS=400V工況下，帶載系統(tǒng)測試，將芯片工作頻率提升至120kHz，高低側(cè)同時工作，持續(xù)工作1小時，PN7113A芯片殼溫度45.7℃，同國際P2P產(chǎn)品殼溫53.5℃。

03

優(yōu)異的窄脈沖特性,實現(xiàn)精準控制

為了提升系統(tǒng)應用，在極端應用工況下，芯片需要在非常小脈寬下工作，PN7113A高低側(cè)具有優(yōu)異的窄脈沖特性。

圖8 HIN最小輸入窄脈沖

(PN7113A高側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/51ns）

圖9 LIN最小輸入窄脈沖

(PN7113A低側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/51ns)

圖10 HIN最小輸入窄脈沖(國際P2P產(chǎn)品 高側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/60ns)

圖11 LIN最小輸入窄脈沖(國際P2P產(chǎn)品 低側(cè)窄脈沖輸入/輸出:50ns/76ns)

如圖8和圖9所示，PN7113A高低側(cè)最小響應輸入脈寬為50ns，高低側(cè)輸出脈寬為51ns，在最小響應脈寬50ns條件下的輸入輸出匹配性優(yōu)于國際P2P產(chǎn)品。

04

強勁的驅(qū)動能力,拓寬應用范圍

圖12 高側(cè)拉灌電流能力

(PN7113A瞬時充放電流測試: 2.8/3.1A)

圖13 低側(cè)拉灌電流能力

(PN7113A瞬時充放電流測試: 2.8/3.1A)

圖14 高側(cè)拉灌電流能力

(國際P2P產(chǎn)品 瞬時充放電流測試: 2.0/2.5A）

圖15 低側(cè)拉灌電流能力

(國際P2P產(chǎn)品 瞬時充放電流測試: 2.0/2.6A）

如圖12和圖13所示，PN7113A高低側(cè)瞬態(tài)拉罐電流可達2.8A和3.1A，圖14和圖15為國際P2P產(chǎn)品高低測瞬態(tài)拉罐電流（2.0A/2.5A）；關斷電流大于開通電流，從而降低系統(tǒng)的開關損耗。