chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Arm發(fā)布第三代NPU,適用于工業(yè)自動(dòng)化等場(chǎng)景,性能提升四倍

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-12 16:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

4 月 12 日消息,Arm 正式發(fā)布 Ethos-U85 NPU,作為面向邊緣 AI 的先進(jìn)產(chǎn)品,Ethos-U85 專為工業(yè)自動(dòng)化和視頻監(jiān)控等領(lǐng)域設(shè)計(jì),性能顯著提升至之前的四倍。

Ethos-U85 在能源效率上相比前作提高了 20%,且可兼容常用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以達(dá) 85% 的利用率。其設(shè)計(jì)適配基于 Arm Cortex-M / A 處理器內(nèi)核的系統(tǒng),對(duì)內(nèi)存延遲有較強(qiáng)適應(yīng)性。

Ethos-U85 NPU 支持從 128 個(gè)到 2048 個(gè) MAC 單元的靈活配置,最高可在 1GHz 頻率下實(shí)現(xiàn) 4TOPs 算力。

此款 NPU 產(chǎn)品沿用了與 Ethos-U55/65 相同的工具鏈,便于開(kāi)發(fā)者快速上手,同時(shí)支持 TensorFlow Lite 和 PyTorch 等主流 AI 框架。

率先采用 Ethos-U85 NPU 的企業(yè)包括英飛凌及 Alif Semiconductor(IT之家注:后者成立于 2019 年,曾是 Ethos-U55 的首發(fā)企業(yè)之一)。

此外,Arm 同步推出了 Corstone-320 物聯(lián)網(wǎng)參考設(shè)計(jì)平臺(tái),整合了 Cortex-M85 CPU、Mali-C55 IPS、Ethos-U85 NPU,為邊緣 AI 應(yīng)用如音頻和視覺(jué)等提供強(qiáng)大性能。

Corstone-320 參考設(shè)計(jì)平臺(tái)內(nèi)置 Arm 虛擬硬件,使開(kāi)發(fā)者在物理芯片未完成前即可進(jìn)行軟件開(kāi)發(fā),大大縮短了邊緣 AI 設(shè)備的上市時(shí)間。

Arm 高級(jí)副總裁暨物聯(lián)網(wǎng)事業(yè)部總經(jīng)理保羅?威廉森(Paul Williamson)表示:“隨著邊緣 AI 部署規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)大,IC 設(shè)計(jì)業(yè)者需應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的系統(tǒng)和軟件、AI 效能需求的急劇增長(zhǎng),以及產(chǎn)品上市周期的緊迫性。同時(shí),軟件開(kāi)發(fā)人員也期待著更為統(tǒng)一、簡(jiǎn)化的開(kāi)發(fā)體驗(yàn),以便更輕松地與新型 AI 框架及庫(kù)進(jìn)行集成。本次 Arm 推出的新技術(shù)將滿足這一需求,助力邊緣 AI 部署的加速發(fā)展?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    20249

    瀏覽量

    252165
  • ARM
    ARM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    135

    文章

    9552

    瀏覽量

    391814
  • 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)

    關(guān)注

    42

    文章

    4838

    瀏覽量

    107737
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開(kāi)發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?614次閱讀
    龍騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?251次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模降本并存”的特征。一、
    發(fā)表于 12-25 09:12

    上海永銘:第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案

    與之匹配的被動(dòng)元件協(xié)同進(jìn)化。 當(dāng)第三代半導(dǎo)體器件以其高頻、高效、耐高溫高壓的優(yōu)勢(shì),在新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能逆變器、工業(yè)伺服電源、AI服務(wù)器電源及數(shù)據(jù)中心供電場(chǎng)景中加速普及時(shí),供
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:34 ?330次閱讀

    Leadway電機(jī)方案的適用

    :通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)與散熱結(jié)構(gòu),降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度,提升整體能效。一站式配套服務(wù)完整解決方案:提供電源模塊+旋變信號(hào)轉(zhuǎn)換+EtherCAT從站遠(yuǎn)程I/O的一站式配套服務(wù),降低客戶開(kāi)發(fā)成本與周期。多領(lǐng)域適配性:適用于工業(yè)
    發(fā)表于 11-05 09:50

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開(kāi)。省工業(yè)和信息廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書(shū)記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書(shū)記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1419次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車(chē)、工業(yè)控制領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?581次閱讀

    開(kāi)啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?786次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    XM3半橋電源模塊系列CREE

    XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)電源模塊平臺(tái),專為電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
    發(fā)表于 09-11 09:48

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1181次閱讀
    上海貝嶺<b class='flag-5'>發(fā)布</b><b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?725次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    進(jìn)迭時(shí)空第三代性能核X200研發(fā)進(jìn)展

    繼X60和X100之后,進(jìn)迭時(shí)空正在基于開(kāi)源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二性能核X100相比,X200的單位
    的頭像 發(fā)表于 06-06 16:56 ?1405次閱讀
    進(jìn)迭時(shí)空<b class='flag-5'>第三代</b>高<b class='flag-5'>性能</b>核X200研發(fā)進(jìn)展

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們?cè)陔娏﹄娮印⑸漕l和光電子領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2432次閱讀

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    ,這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng),能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲(chǔ)存更多電能,為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋(píng)果和星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽(yáng)極
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3272次閱讀