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功率器件廠商IGBT收入大比拼:有人大幅備貨擴(kuò)產(chǎn),有人供過(guò)于求暴降

Tanya解說(shuō) ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:劉靜 ? 2024-04-13 00:12 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)近日,國(guó)內(nèi)時(shí)代電氣、士蘭微、蘇州固锝、斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電等功率器件上市公司陸續(xù)公布了2023年財(cái)報(bào)。相對(duì)其他半導(dǎo)體行業(yè)業(yè)績(jī)的普遍下滑,功率器件行業(yè)在SiC、IGBT高景氣產(chǎn)品影響下業(yè)績(jī)表現(xiàn)各家差異化比較大,有人歡喜有人愁。

電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了7家已發(fā)布2023年業(yè)績(jī)的功率器件上市公司。數(shù)據(jù)顯示,2023年國(guó)內(nèi)功率器件的上市公司營(yíng)收總體都實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng),其中銀河微電的營(yíng)收是從去年的負(fù)增長(zhǎng)轉(zhuǎn)向正增長(zhǎng)。

功率器件廠商去年在盈利方面表現(xiàn)不太理想,歸母凈利潤(rùn)普遍負(fù)增長(zhǎng),士蘭微、捷捷微電凈利降幅較去年有所擴(kuò)大,且蘇州固锝、新潔能的凈利由2022年的正增長(zhǎng)轉(zhuǎn)向負(fù)增長(zhǎng)。
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此外,2023年?duì)I收出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)的僅有新潔能這一家,而且新潔能也是這七家功率器件企業(yè)中唯一營(yíng)收和凈利雙重負(fù)增長(zhǎng)的,業(yè)績(jī)表現(xiàn)相對(duì)不佳。業(yè)績(jī)表現(xiàn)較亮眼的是時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo),它們營(yíng)收和凈利均實(shí)現(xiàn)了雙重增長(zhǎng)。

半導(dǎo)體功率器件主要包括二極管、晶閘管MOSFET、IGBT、SiC等。2023年二三極管、晶體管、中低壓MOS出現(xiàn)供需失衡并大幅降價(jià)的現(xiàn)象。

目前市場(chǎng)增長(zhǎng)主要依賴IGBT和SiC,根據(jù)Omdia、Yole的數(shù)據(jù),預(yù)計(jì)IGBT(含模塊)2025年市場(chǎng)規(guī)模將快速增至136億美元,同期SiC功率器件有望突破43億美元,2021年至2025年SiC市場(chǎng)表現(xiàn)高達(dá)42%的年復(fù)合增長(zhǎng)率。下面我們重點(diǎn)分析下,國(guó)內(nèi)以IGBT或SiC器件為主的功率器件企業(yè)業(yè)績(jī)。

時(shí)代電氣:國(guó)內(nèi)高壓IGBT龍頭,功率器件收入大增69%

時(shí)代電氣是國(guó)內(nèi)高壓IGBT龍頭,在這一領(lǐng)域基本上是它一家獨(dú)大了。高壓IGBT一般指電壓大于2500V,主要應(yīng)用在高鐵、動(dòng)車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)功率器件廠商中,做高壓IGBT的比較少,僅時(shí)代電氣和斯達(dá)半導(dǎo)有所布局。

時(shí)代電氣建有8英寸IGBT產(chǎn)業(yè)化工廠,它的IGBT產(chǎn)品最高電壓可達(dá)6500V。時(shí)代電氣6500V供高鐵使用的IGBT與模塊的成功推出,一舉打破了國(guó)外英飛凌、三菱對(duì)高鐵這一領(lǐng)域市場(chǎng)的長(zhǎng)期壟斷。

時(shí)代電氣IGBT模塊交付在軌交、電網(wǎng)領(lǐng)域市場(chǎng)份額大幅領(lǐng)先,占有率國(guó)內(nèi)第一。而且受益快速發(fā)展的新能源市場(chǎng),時(shí)代電氣的IGBT產(chǎn)品在新能源汽車占有率也迅速提升。根據(jù)NE時(shí)代統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),時(shí)代電氣2023年新能源乘用車功率模塊裝機(jī)量突破100萬(wàn)套,市占率12.5%,排名國(guó)內(nèi)第三。據(jù)說(shuō),2023年時(shí)代電氣功率模塊新獲北汽、上汽等多家客戶訂單。

此外,時(shí)代電氣集中式光伏IGBT模塊市占率也在快速提升,2023年其組串式模塊實(shí)現(xiàn)批量供貨。5W IGBT制氫電源助力國(guó)內(nèi)首個(gè)萬(wàn)噸級(jí)綠電制氫項(xiàng)目成功產(chǎn)氫。

在SiC方面,時(shí)代電氣也同樣有所布局,它有6英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)化工廠,并開發(fā)了三代產(chǎn)品,分別對(duì)應(yīng)1200V-3300V等級(jí)的軌交、電網(wǎng)市場(chǎng),以及650V-1200V的新能源汽車、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電等市場(chǎng),最新消息說(shuō)時(shí)代電氣的第三代1200V SiC MOSFET芯片已達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。

2023年時(shí)代電氣營(yíng)收突破218億元,同比增長(zhǎng)20.88%;歸母凈利潤(rùn)31.06億元,同比增長(zhǎng)21.52%。其中時(shí)代電氣的半導(dǎo)體功率器件取得收入31億元,同比增長(zhǎng)69%。新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)19億元,同比大幅增長(zhǎng)75%,表現(xiàn)亮眼。

財(cái)報(bào)顯示,2023年時(shí)代電氣半導(dǎo)體器件銷量為414.23萬(wàn)只,同比增長(zhǎng)66.79%;庫(kù)存量?jī)H有69.71萬(wàn)只,僅同比增長(zhǎng)10.65%??梢?jiàn)靠著差異化打法的時(shí)代電氣,半導(dǎo)體器件銷售暢旺,庫(kù)存水位健康。

斯達(dá)半導(dǎo):IGBT模塊收入突破33億,在大幅備貨IGBT

以“英飛凌芯片+自營(yíng)封裝”模式起家的斯達(dá)半導(dǎo),近幾年在IGBT市場(chǎng)也成長(zhǎng)迅猛。財(cái)報(bào)顯示,2023年斯達(dá)半導(dǎo)營(yíng)收36.63億元,同比增長(zhǎng)35.39%;歸母凈利潤(rùn)9.11億元,同比增長(zhǎng)11.36%。在上述七家功率器件企業(yè)中,斯達(dá)半導(dǎo)的營(yíng)收增速是最高的,表現(xiàn)出較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。

斯達(dá)半導(dǎo)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的動(dòng)能主要來(lái)自IGBT產(chǎn)品,其9成營(yíng)收都是IGBT產(chǎn)品貢獻(xiàn)的,2023年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊產(chǎn)品共實(shí)現(xiàn)收入33.31億元,同比增長(zhǎng)49.73%。
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2020年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT產(chǎn)品收入還不到10億元,不到四年,斯達(dá)半導(dǎo)2023年IGBT就突破了33億,年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)53.63%,一路高歌猛進(jìn)。而且IGBT的盈利空間比較大,受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑影響小,2023年斯達(dá)半導(dǎo)的IGBT模塊產(chǎn)品仍保持37.72%的高毛利率,而士蘭微的發(fā)光二極管傳統(tǒng)功率器件因低價(jià)內(nèi)卷嚴(yán)重,該產(chǎn)品毛利率2023年已跌為負(fù)數(shù)。

雖然斯達(dá)半導(dǎo)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)較為單一,但靠著把IGBT這一產(chǎn)品做好做領(lǐng)先,依舊賺得盆滿缽滿。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)在海外也取得不錯(cuò)的進(jìn)展,其產(chǎn)品在亞洲之外的其他地區(qū)收入同比大幅增長(zhǎng)200.42%。據(jù)說(shuō),斯達(dá)半導(dǎo)車規(guī)級(jí)IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付。

斯達(dá)半導(dǎo)仍非常看好2024年IGBT在海內(nèi)外市場(chǎng)的增長(zhǎng),為此它也在大幅度地備貨IGBT。財(cái)報(bào)顯示,2023年斯達(dá)半導(dǎo)IGBT模塊生產(chǎn)量為1373萬(wàn)只,同比增長(zhǎng)49.23%;IGBT模塊庫(kù)存量為129萬(wàn)只,同比大幅增長(zhǎng)230.84%。斯達(dá)半導(dǎo)表示,“2023年度公司為了更好地滿足客戶需求,對(duì)IGBT模塊進(jìn)行了合理的備貨,庫(kù)存量較上年同期有所增加?!?br />
2023年,斯達(dá)半導(dǎo)生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機(jī)控制器的車規(guī)級(jí)IGBT模塊持續(xù)放量,合計(jì)配套超過(guò)200萬(wàn)套新能源汽車主電機(jī)控制器。2023年,斯達(dá)半導(dǎo)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級(jí)IGBT模塊大批量裝車。

斯達(dá)半導(dǎo)基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級(jí)IGBT模塊新增多個(gè)800V系統(tǒng)車型的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),此外斯達(dá)半導(dǎo)還新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊的800V系統(tǒng)主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn),這將為斯達(dá)半導(dǎo)2024年的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)提供不少新動(dòng)力。

士蘭微:IGBT收入同比增長(zhǎng)140%以上,加快建設(shè)IGBT芯片、碳化硅MOS產(chǎn)能

士蘭微國(guó)內(nèi)的大型功率器件廠商之一,2022年其收入規(guī)模進(jìn)入全球前二十功率器件廠商榜單。最新的財(cái)報(bào)顯示,2023全年士蘭微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入93.4億元,同比增長(zhǎng)12.77%。

不過(guò),這家國(guó)內(nèi)功率器件大廠在2023年卻意外出現(xiàn)虧損,歸母凈利潤(rùn)虧損0.36億元,同比減少103.40%,這是士蘭微上市20年來(lái)的首次虧損。

士蘭微的虧損主要來(lái)自兩方面:一是士蘭微持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌,導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生稅后凈收益-45227萬(wàn)元;二是受LED芯片市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響,士蘭微LED芯片價(jià)格較去年年末下降10%-15%,導(dǎo)致控股子公司士蘭明芯經(jīng)營(yíng)性虧損較上年度進(jìn)一步擴(kuò)大。

如果只看IGBT業(yè)務(wù),2023年士蘭微還是取得不錯(cuò)成績(jī)的。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,2023年士蘭微IGBT器件、IGBT大功率模塊產(chǎn)品增長(zhǎng)快速,實(shí)現(xiàn)銷售收入已達(dá)14億元,較2022年增長(zhǎng)140%以上,業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼。

據(jù)說(shuō),士蘭微用于汽車的IGBT器件(單管)已實(shí)現(xiàn)大批量出貨,且用于光伏的IGBT器件(成品)、SiC MOS器件也已實(shí)現(xiàn)批量出貨。士蘭微自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,也已經(jīng)在比亞迪、吉利、零跑、廣汽、匯川、東風(fēng)、長(zhǎng)安等國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨。

2023年士蘭微推出了SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案。還完成了多個(gè)電壓平臺(tái)的RC-IGBT產(chǎn)品的研發(fā),該類產(chǎn)品今后將在汽車主驅(qū)、儲(chǔ)能、風(fēng)電、IPM模塊等領(lǐng)域中推廣使用。

盡管目前士蘭微IGBT、SiC對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)不是太大,但士蘭微的發(fā)展重心開始有傾向這兩大功率器件的跡象,它正在加快汽車級(jí)IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片的產(chǎn)能建設(shè)。士蘭微通過(guò)士蘭明鎵對(duì)SiC進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),截至目前,士蘭明鎵已形成月產(chǎn)6000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力,預(yù)計(jì)2024年年底將形成月產(chǎn)12000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。

士蘭微重要參股公司,士蘭集科2023年加快推進(jìn)IGBT芯片產(chǎn)能建設(shè),截至2023年底,已具備月產(chǎn)2.5萬(wàn)片IGBT芯片的生產(chǎn)能力。

新潔能:IGBT業(yè)務(wù)收入意外下滑33.97%,光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域IGBT供過(guò)于求

新潔能是光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)IGBT單管龍頭。2023年,新潔能實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入14.77億元,同比減少18.46%;歸母凈利潤(rùn)為3.23億元,同比減少25.75%。在已發(fā)布2023年業(yè)績(jī)的7家功率器件企業(yè)當(dāng)中,新潔能的業(yè)績(jī)表現(xiàn)相對(duì)不理想,營(yíng)收和凈利出現(xiàn)雙雙下滑。

上述時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)和士蘭微IGBT業(yè)務(wù)均實(shí)現(xiàn)亮眼增長(zhǎng),但新潔能的IGBT業(yè)務(wù)卻意外大幅下滑。財(cái)報(bào)顯示,2023年新潔能IGBT產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售收入2.66億元,比去年同期下滑了33.97%,銷售占比也從2022年的22.33%下降到2023年的18.09%。

別人IGBT都在大幅增長(zhǎng),新潔能IGBT業(yè)務(wù)收入?yún)s下滑超3成。這主要是因?yàn)樗鼈兏髯訧GBT側(cè)重的應(yīng)用領(lǐng)域不同,新潔能的IGBT在光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域應(yīng)用較多。

新潔能表示,由于2023年公司的主要下游光伏儲(chǔ)能客戶處于消化庫(kù)存階段,整體處于供大于求的狀態(tài)。公司積極調(diào)整結(jié)構(gòu)應(yīng)對(duì)下游變化,拓寬了更多的應(yīng)用領(lǐng)域,加大了對(duì)于變頻、小家電、工業(yè)自動(dòng)化、汽車等領(lǐng)域的銷售力度,但受到2023年光伏儲(chǔ)能需求減弱的影響,整體IGBT產(chǎn)品的銷售仍然呈現(xiàn)下滑狀態(tài)。

2023年新潔能的第七代微溝槽高功率密度IGBT平臺(tái)的650V和1200V大飽和電流的中高頻系列產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)內(nèi)部測(cè)試,正在進(jìn)行客戶端導(dǎo)入測(cè)試,同系列光伏逆變應(yīng)用的業(yè)界最大電流TO-247 Plus封裝單管產(chǎn)品1200V 160A產(chǎn)品也已經(jīng)進(jìn)行客戶應(yīng)用驗(yàn)證。此外,新潔能IGBT并聯(lián)SiC二極管產(chǎn)品也已通過(guò)客戶驗(yàn)證。

IGBT并聯(lián)SiC已經(jīng)成為功率器件行業(yè)未來(lái)發(fā)展的新方向,士蘭微也在推出SiC和IGBT的混合并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方案。




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    雙面散熱<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b> | DOH 封裝工藝

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?795次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    芯長(zhǎng)征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)

    在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審,我們憑借在功率
    的頭像 發(fā)表于 12-10 17:28 ?1102次閱讀

    igbt導(dǎo)通壓受哪些因素影響

    IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子器件,廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。IGBT的導(dǎo)通壓(Vce(sat))是指在IGBT
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:51 ?2930次閱讀

    IGBT導(dǎo)通壓和飽和壓怎么區(qū)分

    絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器等設(shè)備中
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:46 ?5591次閱讀

    真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT功率器件焊接

    IGBT,全稱絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT),是一種功率開關(guān)元件,綜合了電力晶體管(Giant Transistor)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)
    的頭像 發(fā)表于 08-09 16:37 ?3394次閱讀
    真空回流焊爐/真空焊接爐——<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>焊接

    igbt功率管型號(hào)參數(shù)意義

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT
    的頭像 發(fā)表于 08-08 09:11 ?3716次閱讀

    電池焊接技術(shù)大比拼:探索不同技術(shù)的獨(dú)特魅力

    在電池制造領(lǐng)域,焊接技術(shù)無(wú)疑是連接各個(gè)部件、確保電池性能穩(wěn)定與壽命延長(zhǎng)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著科技的進(jìn)步和電池種類的多樣化,電池焊接技術(shù)也在不斷創(chuàng)新與發(fā)展。本文將從常見(jiàn)的電池焊接技術(shù)入手,深入剖析各種技術(shù)的特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì),展開一場(chǎng)別開生面的電池焊接技術(shù)大比拼。
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:09 ?1131次閱讀
    電池焊接技術(shù)<b class='flag-5'>大比拼</b>:探索不同技術(shù)的獨(dú)特魅力

    一文看懂功率半導(dǎo)體-IGBT

    共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷
    的頭像 發(fā)表于 07-21 17:43 ?2229次閱讀
    一文看懂<b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體-<b class='flag-5'>IGBT</b>