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影響單晶硅硬度的因素有哪些?

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:晶格半導(dǎo)體 ? 2024-04-14 15:15 ? 次閱讀
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本文簡單介紹了硬度的概念以及影響單晶硅硬度的因素。

硬度作為評價(jià)材料力學(xué)性能的重要指標(biāo),其測量和應(yīng)用對于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域具有重要意義。硬度的定義反映了材料在受到外力作用時(shí)的抵抗能力,它可以表現(xiàn)為抵抗另一物體壓入的能力,或者是抵抗永久變形和破壞的能力。硬度的測量方法多樣,包括靜態(tài)壓入硬度、動(dòng)態(tài)或回彈壓入硬度和劃入硬度等,其中靜態(tài)壓入硬度是最為常用的一種方式。

在靜態(tài)壓入硬度的測量過程中,通過將一定載荷下的硬質(zhì)壓頭壓入材料表面,然后在載荷撤除后測量材料表面的殘余壓痕,通過載荷和壓頭與材料接觸面積的比值來確定材料的硬度。這一過程實(shí)際上反映了材料能夠承受的最大壓強(qiáng)。

對于單晶硅而言,其維氏硬度通常在9~14 GPa范圍內(nèi),但這一數(shù)值會(huì)受到多種因素的影響,如不同的實(shí)驗(yàn)條件、不同的測試晶面以及壓頭與樣品間的取向等。如下表所示,單晶硅的硬度具有各向異性,單晶硅{001}面,{110}面和{111}面的維氏硬度依次降低。采用納米壓痕測試得到的單晶硅的硬度值為11~14GPa,隨不同的樣品和不同的實(shí)驗(yàn)略有差異。

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材料的硬度與其屈服強(qiáng)度并不直接相關(guān)。單晶硅通常具有金剛石立方結(jié)構(gòu),但在高壓條件下,如金剛石對頂壓砧實(shí)驗(yàn)中,硅的結(jié)構(gòu)可能發(fā)生相變,從金剛石立方結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)轶w心四方結(jié)構(gòu)。這種相變后的Si-II相具有良好的導(dǎo)電性和塑性,因此在硬度測試中,高靜水壓力作用下,Si-I相可能轉(zhuǎn)變?yōu)镾i-II相,從而導(dǎo)致材料的塑性形變。

在硬度測量實(shí)驗(yàn)中,由于壓頭與材料表面的接觸面積很小,局部壓強(qiáng)非常高,這可能導(dǎo)致硅從Si-I相到Si-II相的壓痕誘導(dǎo)相變。實(shí)驗(yàn)表明,室溫下測試得到的單晶硅硬度值與硅的相變壓力基本一致,因此可以認(rèn)為低溫下硅的硬度主要由壓痕誘導(dǎo)的相變控制。

綜上所述,硬度是一個(gè)復(fù)雜的物理量,它不僅與材料的內(nèi)在結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有關(guān),還受到測量方法和實(shí)驗(yàn)條件的影響。對于單晶硅這類材料,其硬度的測量和理解需要考慮晶體結(jié)構(gòu)、各向異性以及壓痕誘導(dǎo)的相變等多種因素。這些因素共同決定了材料在受到外力作用時(shí)的表現(xiàn),從而影響其在實(shí)際應(yīng)用中的性能和可靠性。




審核編輯:劉清

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  • 單晶硅
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原文標(biāo)題:單晶硅的硬度

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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