它集高精度過電壓充電保護(hù)、過電壓放電保
護(hù)、過電流充電保護(hù)、過電流放電保護(hù)、電池短路保護(hù)等性能于一身。
正常狀態(tài)下， PL7022/B 由電池供電。當(dāng)兩節(jié)電池電壓（VBATU/VBATD)都在過電壓充電保護(hù)閾值（VOCU/D）和
過電壓放電保護(hù)閾值（VODU/D）之間，且其 VM 檢測端電壓在過電流充電保護(hù)閾值（VECI）和過電流放電保護(hù)閾值
（VEDI）之間，此時 PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 和
放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通。這時，既可以使用充電器對電池充電，也可以通過負(fù)載使電池放電。
PL7022/B 通過檢測兩個電池電壓來進(jìn)行過充/放電保護(hù)。當(dāng)充/放電保護(hù)條件發(fā)生時， COUT/DOUT 由高電平變
為低電平，使 Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂梗瑥亩?放電過程停止。 PL7022/B 對每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件，
當(dāng)恢復(fù)條件滿足以后， COUT/DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通，從而進(jìn)入正常狀態(tài)。
PL7022/B 對每種保護(hù)/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時間，只有在保護(hù)/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時間以后，
才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/恢復(fù)。如果保護(hù)/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時間以前消除，則不進(jìn)入保護(hù)/恢復(fù)狀態(tài)。
當(dāng) VM 小于-5V， VDD 從 0V 升高至正常值時，芯片將進(jìn)入快速檢測模式，縮短延遲時間，并禁止過電流充電保護(hù)
功能。過電壓充電檢測和過電壓放電檢測延遲時間會縮短到將近 1ms，這能有效地縮短保護(hù)電路 PCB 的檢測時間。
當(dāng) VM 升高至 0V 以上時，芯片將退出快速檢測模式。
特點(diǎn)：
? 兩節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池的理想保護(hù)電路
? 高精度的保護(hù)電壓（過充/過放）檢測
? 高精度過電流充電/放電保護(hù)檢測
? 低供電電流
? 在低功耗模式，不接充電器情況下，可自動恢復(fù)狀態(tài)
? 電池短路保護(hù)
? 可選擇多種型號的檢測電壓和延遲時間
? 縮短延遲時間測試功能
? 0V 電池充電功能
? 極少的外圍元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封裝
應(yīng)用：
? 兩節(jié)鋰電池的充電、放電保護(hù)電路
? 電話機(jī)電池或其它兩節(jié)鋰電池高精度保護(hù)

審核編輯 黃宇