來源：Silicon Semiconductor

Rapidus表示，日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）已批準其2024財年計劃和預算。

Rapidus表示，日本新能源產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)（NEDO）已批準了“后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施增強研發(fā)項目/先進半導體制造技術(shù)開發(fā)（委托）”下的“基于日美合作的2納米代半導體集成技術(shù)和短TAT制造技術(shù)的研發(fā)”的2024財年計劃和預算。此外，NEDO還選中了“2nm代半導體的Chiplet開發(fā)、封裝設(shè)計和制造技術(shù)”提案。

2022年11月，Rapidus的提案被選為下一代半導體研發(fā)項目，用于“基于日美合作的2nm代半導體集成技術(shù)和短TAT制造技術(shù)的研究和開發(fā)”。 基于該項目，Rapidus開始在日本北海道千歲市建設(shè)IIM（Innovative Integration for Manufacturing）制造基地，并通過向IBM公司派遣工程師，開發(fā)2nm代邏輯半導體的量產(chǎn)技術(shù)，并實現(xiàn)了目標 2023 財年。此外，隨著本財年計劃和預算的批準，Rapidus將開始無塵室運營，并引進EUV光刻機和其他制造設(shè)備，為2025年4月開始的中試線運營做好準備。

隨著“第二代半導體的 Chiplet 和封裝設(shè)計與制造技術(shù)的開發(fā)”提案被選中，Rapidus 將開發(fā) Chiplet 封裝的設(shè)計和制造技術(shù)，旨在建立必要的設(shè)計套件和 Chiplet 測試技術(shù)。 用于大規(guī)模生產(chǎn)和設(shè)計小芯片封裝，通過使用 2 納米一代半導體實現(xiàn)更大尺寸和更低能耗。

這些后端工藝領(lǐng)域需要與前端工藝中尖端半導體的發(fā)展同步創(chuàng)新。 Rapidus 旨在為其客戶提供快速統(tǒng)一的制造服務 (RUMS)，通過提供設(shè)計支持和集成的前端和后端流程，實現(xiàn)短 TAT 半導體制造。

對于后端工藝，Rapidus將利用精工愛普生公司千歲工廠（北海道千歲市Bibi 758-173）的一部分進行試點階段的研究和開發(fā)，該工廠毗鄰千歲市工業(yè)園區(qū)Bibi World正在建設(shè)的IIM。

Rapidus將建立以短TAT生產(chǎn)為特色的國內(nèi)代工廠業(yè)務，以確保先進邏輯半導體的國內(nèi)供應，這是經(jīng)濟安全的關(guān)鍵，并為提高日本的產(chǎn)業(yè)競爭力和提高國民生活的便利性做出貢獻。

審核編輯 黃宇