4 月 18 日，綜合媒體報道，電子科技大學(xué)信息與量子實驗室研究團隊攜手清華大學(xué)及中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所成功研發(fā)首款氮化鎵量子光源芯片，該成果對電子科技大學(xué)“銀杏一號”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺有著重大推動作用。

量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的中樞器具，如同“量子燈泡”，賦予聯(lián)網(wǎng)用戶量子信息交互的能力。當(dāng)前，量子光源芯片主要以氮化硅等材料制造，而此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關(guān)鍵性能方面實現(xiàn)突破，由 25.6 納米增至 100 納米，且有望實現(xiàn)單片集成。

研究團隊運用迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，克服了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難關(guān)，成功將氮化鎵材料應(yīng)用于量子光源芯片領(lǐng)域。

電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院教授、天府絳溪實驗室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強表示，新款量子光源芯片能為量子互聯(lián)網(wǎng)提供更豐富的波長資源，滿足更多用戶根據(jù)自身需求選擇不同波長接入量子互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的需求。他形象地比喻道：“這就像‘量子燈泡’能照亮更多房間。”