4月18日，電子科技大學(xué)發(fā)布令人振奮的消息，該校信息與量子實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的科研力量聯(lián)手，成功研制出全球首款氮化鎵量子光源芯片。這一里程碑式的成果在量子科技領(lǐng)域掀起了波瀾，展示了電子科技大學(xué)在量子互聯(lián)網(wǎng)研究領(lǐng)域的卓越實(shí)力。

此次突破不僅彰顯了電子科技大學(xué)在“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)上的顯著成就，也標(biāo)志著全球量子互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)邁出了重要的一步。氮化鎵量子光源芯片的誕生，為量子信息的交互提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐，為量子互聯(lián)網(wǎng)的未來(lái)發(fā)展注入了新的動(dòng)力。

量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。其輸出波長(zhǎng)范圍實(shí)現(xiàn)了從25.6納米到100納米的巨大提升，顯示出向單片集成方向發(fā)展的巨大潛力，為量子互聯(lián)網(wǎng)的未來(lái)發(fā)展打開(kāi)了新的大門(mén)。

在科研團(tuán)隊(duì)的持續(xù)努力下，通過(guò)不斷迭代與優(yōu)化電子束曝光和干法刻蝕工藝，成功攻克了氮化鎵晶體薄膜高質(zhì)量生長(zhǎng)、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等一系列關(guān)鍵技術(shù)難題。這一系列的突破使得氮化鎵材料首次被成功應(yīng)用于量子光源芯片中，為全球量子科技領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。

談及此次成果，電子科技大學(xué)基礎(chǔ)與前沿研究院教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)表示，氮化鎵量子光源芯片的研制成功，將極大地豐富量子互聯(lián)網(wǎng)的波長(zhǎng)資源，滿足不同用戶以不同波長(zhǎng)接入量子互聯(lián)網(wǎng)的需求。這一創(chuàng)新成果意味著量子世界的“燈泡”將能夠照亮更多的“房間”，推動(dòng)量子互聯(lián)網(wǎng)邁向更廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域，為未來(lái)的科技創(chuàng)新和社會(huì)發(fā)展帶來(lái)無(wú)限的可能性。

審核編輯：黃飛