近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標志著國內(nèi)氮化鎵半導體第一股正式誕生，為行業(yè)樹立了新的里程碑。

英諾賽科作為一家專注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來，始終致力于推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應用。公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品線覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片以及模組等多個領(lǐng)域，能夠滿足不同客戶對高性能、高效率半導體產(chǎn)品的需求。

英諾賽科的產(chǎn)品可廣泛應用于消費與家電、數(shù)據(jù)中心、汽車電子、新能源與工業(yè)等多個領(lǐng)域，為各行業(yè)提供了強有力的技術(shù)支持和解決方案。公司通過不斷創(chuàng)新和優(yōu)化，不斷提升產(chǎn)品的性能和品質(zhì)，贏得了廣大客戶的信賴和好評。

未來，英諾賽科將繼續(xù)深耕氮化鎵半導體領(lǐng)域，加大研發(fā)投入，拓展應用領(lǐng)域，推動氮化鎵技術(shù)的普及和發(fā)展，為國內(nèi)外客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務。此次上市將為公司未來的發(fā)展注入新的動力，助力公司在全球氮化鎵半導體市場中占據(jù)更加重要的地位。