韓國創(chuàng)新型相變存儲器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點
近期，韓國科技先進(jìn)研究院成功研發(fā)出一種新型相變存儲器（PCM），該技術(shù)可根據(jù)需求靈活執(zhí)行結(jié)晶（低電阻）或非晶體（高電阻）的切換，使其既具備DRAM高速且易丟失數(shù)據(jù)的特點，又具NAND閃存的掉電保護(hù)功能，堪稱兩者優(yōu)點集大成者。
然而，盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性兩個優(yōu)點，但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高，同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài)，導(dǎo)致生產(chǎn)過程耗電量巨大。
針對此問題，Shinhyun Choi教授領(lǐng)導(dǎo)的科研團(tuán)隊創(chuàng)新地提出了另一種解決方案——即僅對直接參與相變過程的組件進(jìn)行壓縮，以此創(chuàng)造一種名為相變納米絲的全新相變材料。
這種新方法顯著提升了制造成本與降低了能耗，相對于傳統(tǒng)采用高價光刻工具制造的相變存儲器，新式PCM的耗電量僅為原來的1/15。此外，新型相變存儲器仍保留了傳統(tǒng)存儲器的諸多優(yōu)良特性，如速度快、ON/OFF比大、變化小以及多級存儲特性等。
Choi教授表示，他們預(yù)期這項研究成果將成為未來電子工程領(lǐng)域的重要基石，有望廣泛應(yīng)用于高密度3D垂直存儲器、神經(jīng)形態(tài)計算系統(tǒng)、邊緣處理器及內(nèi)存計算系統(tǒng)等領(lǐng)域。
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