電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日Quinas Technology 和 IQE plc 宣布，新型存儲器ULTRARAM 已突破重大制造障礙，即將進入試生產(chǎn)階段。

ULTRARAM結(jié)合了DRAM的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。IQE公司成功將Quinas創(chuàng)始人在蘭卡斯特大學(xué)首次開發(fā)的化合物半導(dǎo)體層技術(shù)擴展到工業(yè)化工藝。這個為期一年的項目開發(fā)了先進的銻化鎵和銻化鋁外延技術(shù)，被譽為可擴展存儲設(shè)備領(lǐng)域的世界首創(chuàng)。該項目獲得了英國創(chuàng)新署的資助。

在技術(shù)層面，ULTRARAM 依賴于銻化鎵和銻化鋁層內(nèi)的共振隧穿效應(yīng)。新的外延通道為工程師提供了原子層控制，允許使用標(biāo)準(zhǔn)光刻和蝕刻技術(shù)來形成可靠的存儲單元。在實驗室測試中，該設(shè)計表現(xiàn)出極快的開關(guān)速度、極低的開關(guān)功耗以及以年而非小時為單位的數(shù)據(jù)保存時間。如果這些特性能夠大規(guī)模復(fù)制，系統(tǒng)就可以消除服務(wù)器中的DRAM刷新功耗，縮短客戶端設(shè)備的啟動和恢復(fù)時間，并實現(xiàn)始終在線的功能。當(dāng)時測試的原型機可提供1000年的數(shù)據(jù)保留時間和超過1000萬次的編程/擦除周期，比閃存高出100倍。

當(dāng)然，從量產(chǎn)角度，從可擴展的外延方法轉(zhuǎn)向盈利的高良率制造，需要強大的供應(yīng)鏈合作伙伴關(guān)系、細(xì)致的良率優(yōu)化以及系統(tǒng)級集成，所有這些都將在試運行中進行驗證。目前正在與代工廠和其他合作伙伴就試點晶圓和封裝芯片進行洽談。

如果ULTRARAM取代需要持續(xù)刷新的DRAM，這部分電力消耗將被完全消除。Quinas表示，其最小設(shè)備能夠在100納秒內(nèi)以低于1飛焦耳的能量進行切換，這比任何已知的存儲設(shè)備都要低。作為通用內(nèi)存的候選技術(shù)，ULTRARAM有潛力從根本上改變整個數(shù)字技術(shù)格局，從小型自主物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備到智能手機、筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心。

ULTRARAM面臨的商業(yè)化挑戰(zhàn)主要是需要進入現(xiàn)有的DRAM和NAND供應(yīng)鏈，這要求終端設(shè)備制造商在硬件、操作系統(tǒng)和系統(tǒng)級軟件方面做出改變。關(guān)鍵是要證明工業(yè)規(guī)模制造的可行性和可用產(chǎn)量，并展示出規(guī)?；圃斓目尚新窂?。

IQE首席執(zhí)行官Jutta Meier表示："我們成功實現(xiàn)了為ULTRARAM開發(fā)可擴展外延工藝的目標(biāo)，這是朝著封裝芯片工業(yè)化生產(chǎn)邁出的重要里程碑。這個項目為在英國將下一代化合物半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化提供了獨特機會。"

Quinas首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人James Ashforth-Pook認(rèn)為，"這個項目標(biāo)志著從大學(xué)研究到商業(yè)內(nèi)存產(chǎn)品轉(zhuǎn)化過程中的轉(zhuǎn)折點。借助IQE的工業(yè)化能力和英國創(chuàng)新署的支持，我們在構(gòu)建內(nèi)存主權(quán)能力方面邁出了關(guān)鍵一步——內(nèi)存是英國半導(dǎo)體技術(shù)棧中最具戰(zhàn)略重要性但代表性不足的細(xì)分領(lǐng)域。ULTRARAM在人工智能、移動設(shè)備和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中顯著提升能效的潛力，將使英國在下一代內(nèi)存創(chuàng)新領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。"