三星第九代V-NAND 1TB TLC量產，密度提升逾50%
據(jù)悉，三星半導體近日宣布已成功實現(xiàn)第九代V-NAND1Tb TLC產品的量產，其單位面積內存儲量較前代產品大幅提升了約50%。這一成績得益于先進的通道孔蝕刻技術，大幅度提升了生產效率。
第九代V-NAND采用雙堆疊設計，將旗艦版V8閃存原先的236層進一步增加至290層，主要應用于大型企業(yè)服務器及人工智能與云計算設備領域。
據(jù)行業(yè)內部人士透露，三星計劃于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆疊技術，有望達到430層，從而進一步提升NAND的密度，鞏固并擴大其市場領導地位。
市場研究機構Omdia預測，盡管NAND閃存市場在2023年出現(xiàn)37.7%的下滑，但預計今年將迎來38.1%的反彈式增長。為在這一快速發(fā)展的市場中搶占先機，三星承諾加大對NAND業(yè)務的投入力度。
早前，IT之家曾報道，三星高層表示，公司的長遠目標是在2030年前研發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以實現(xiàn)更高的密度和存儲能力。
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