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SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

花茶晶晶 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報(bào)道 ? 2025-05-23 01:04 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1。該產(chǎn)品具備全球領(lǐng)先的順序讀取性能與低功耗特性,專為端側(cè)AI進(jìn)行優(yōu)化;產(chǎn)品厚度減薄15%,適用于超薄旗艦智能手機(jī)

SK海力士表示:“為了在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)端側(cè)(On-device)AI的穩(wěn)定運(yùn)行,所搭載的NAND閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對(duì)AI工作負(fù)載優(yōu)化的UFS 4.1產(chǎn)品,公司將進(jìn)一步鞏固其在旗艦智能手機(jī)市場中的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位?!?br />
隨著端側(cè)AI的需求持續(xù)增長,終端設(shè)備的計(jì)算性能與電池效率之間的平衡日趨關(guān)鍵,超薄設(shè)計(jì)和低功耗特性已成為移動(dòng)設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

順應(yīng)這一趨勢(shì),公司此次開發(fā)的新品較上一代基于238層NAND閃存的產(chǎn)品能效提升了7%。同時(shí),成功產(chǎn)品厚度從1mm減薄至0.85mm,使其能夠適配超薄智能手機(jī)。

此外,該產(chǎn)品支持第四代UFS產(chǎn)品的順序讀取峰值,數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4300MB/s。決定移動(dòng)設(shè)備多任務(wù)處理能力的隨機(jī)讀取和寫入速度,相較上一代產(chǎn)品分別提升了15%與40%,達(dá)到現(xiàn)存UFS 4.1產(chǎn)品中全球領(lǐng)先水平。

通過該方式,能夠?qū)崟r(shí)提供對(duì)端側(cè)AI所需的數(shù)據(jù),顯著提升應(yīng)用程序的運(yùn)行效率與響應(yīng)速度,從而有效增強(qiáng)用戶的實(shí)際性能體驗(yàn)。

該產(chǎn)品提供512GB(千兆字節(jié))和1TB(太字節(jié))兩種容量規(guī)格。公司計(jì)劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進(jìn)行驗(yàn)證流程,并將于明年第一季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。

在新產(chǎn)品方面,近日SK海力士成功完成CMM(CXL Memory Module)- DDR5 96GB(千兆字節(jié))產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證,是基于CXL12.0標(biāo)準(zhǔn)的DRAM解決方案產(chǎn)品。

SK海力士表示:“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng),相較于現(xiàn)有的DDR5模組,其容量增長了50%,寬帶擴(kuò)展了30%,可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運(yùn)營數(shù)據(jù)中心時(shí)所需的總體擁有成本?!?br />
繼96GB產(chǎn)品驗(yàn)證,公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗(yàn)證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級(jí)(1b)32Gb(千兆位)DDR5 DRAM,具備優(yōu)越的性能功耗比。公司計(jì)劃盡早完成這一驗(yàn)證,以完善CXL產(chǎn)品組合,從而在客戶需要時(shí)能夠及時(shí)供貨。

SK海力士截至2025年3月31日的2025財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示,公司2025財(cái)年第一季度結(jié)合并收入為17.6391萬億韓元,營業(yè)利潤為7.4405萬億韓元,凈利潤為8.1082萬億韓元。2025財(cái)年第一季度營業(yè)利潤率為42%,凈利潤率為46%。

公司本季度的收入和營業(yè)利潤是在繼前一季度創(chuàng)下歷史最高業(yè)績后,達(dá)到了第二高的業(yè)績水平。營業(yè)利潤率環(huán)比改善了1個(gè)百分點(diǎn),增至42%,并以連續(xù)八個(gè)季度呈現(xiàn)出穩(wěn)健上升趨勢(shì)。
SK海力士表示:“第一季度,受人工智能開發(fā)競爭加劇和庫存補(bǔ)充需求等影響,存儲(chǔ)器市場情況改善速度顯著快于預(yù)期。順應(yīng)這一趨勢(shì),公司擴(kuò)大了12層HBM3E、DDR5等高附加值產(chǎn)品的銷售?!?br />




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