英特爾近日宣布，斥資約3.5億美元的第一臺商用量子點EUV光刻機已安裝調試完畢，有望年內正式投入使用。

據(jù)報道，ASML明年上半年絕大部分高數(shù)值孔徑EUV設備訂單都被英特爾拿下，其中包括今年計劃生產的五套設備也全數(shù)交付。

知情人士透露，由于ASML高數(shù)值孔徑EUV設備產能有限，每年僅能產出5至6臺，因此英特爾將獨享初始庫存，而競爭對手三星和SK海力士預計需等到明年下半年才能獲得此設備。

關于高數(shù)值孔徑，簡言之，它代表光學系統(tǒng)的聚光能力，數(shù)值越大，聚光能力越強。相較于現(xiàn)有EUV設備的0.33數(shù)值孔徑，新一代EUV設備的NA值升至0.55，一維密度提高1.7倍，二維尺度上則可實現(xiàn)190%的密度提升。

英特爾代工旗下邏輯技術開發(fā)部門的光刻、硬件和解決方案主管菲利普斯表示，公司計劃今年晚些時候將High NA EUV光刻機用于制程開發(fā)。

英特爾將在18A尺度的概念驗證節(jié)點上測試High NA EUV與傳統(tǒng)0.33NA EUV光刻的混合使用效果，并在后續(xù)的14A節(jié)點上實現(xiàn)商業(yè)化量產。

菲利普斯預測，High NA EUV光刻機至少可在未來三代節(jié)點上沿用，使光刻技術名義尺度突破至1nm以下。

展望未來光刻技術發(fā)展，菲利普斯認為將光線波長進一步縮短至6.7nm將面臨諸多挑戰(zhàn)，如光學組件尺寸大幅增大；他更看好更高數(shù)值孔徑（Hyper NA）作為可行技術方向。

針對High NA EUV光刻導致的單芯片理論最大面積減小問題，菲利普斯表示英特爾正在與EDA企業(yè)共同研發(fā)芯片“縫合”技術，以便設計師更好地利用。

盡管英特爾于2021年重返芯片代工市場，但要想贏得客戶信任，必須加快采用高數(shù)值孔徑EUV技術。然而，英特爾代工業(yè)務去年虧損高達70億美元，看來仍需努力。