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SMU數(shù)字源表測試IC芯片電性能方案

pss2019 ? 來源:pss2019 ? 作者:pss2019 ? 2024-05-13 15:20 ? 次閱讀
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芯片測試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測,區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加電壓測電流)。
傳統(tǒng)的芯片電性能測試需要數(shù)臺(tái)儀表完成,如電壓源、電流源、萬用表等,然而由數(shù)臺(tái)儀表組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析,過程復(fù)雜又耗時(shí),又占用過多測試臺(tái)的空間,而且使用單一功能的儀表和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺陷,無法滿足高效率測試的需求。
實(shí)施芯片電性能測試的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU),數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負(fù)載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規(guī)模和種類迅速增加,很多通用型測試設(shè)備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運(yùn)行模式的限制,無法同時(shí)對多個(gè)被測器件(DUT)進(jìn)行測試,因此規(guī)模化的測試效率極低。特別是在生產(chǎn)和老化測試時(shí),往往要求在同一時(shí)間內(nèi)完成對多個(gè)DUT的測試,或者在單個(gè)DUT上異步或者同步地運(yùn)行多個(gè)測試任務(wù)。

基于CS系列多通道插卡式數(shù)字源表搭建的測試平臺(tái),可進(jìn)行多路供電及電參數(shù)的并行測試,高效、精確地對芯片進(jìn)行電性能測試和測試數(shù)據(jù)的自動(dòng)化處理。主機(jī)采用10插卡/3插卡結(jié)構(gòu),背板總線帶寬高達(dá) 3Gbps,支持 16 路觸發(fā)總線,滿足多卡設(shè)備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發(fā)功能強(qiáng)、多設(shè)備組合效率高等特點(diǎn),最高可擴(kuò)展至40通道。

wKgZomZBvpOAOc74AADHIzsvADg334.png



開短路測試(Open-Short Test,也稱連續(xù)性或接觸測試),用于驗(yàn)證測試系統(tǒng)與器件所有引腳的電接觸性,測試的過程是借用對地保護(hù)二極管進(jìn)行的,測試連接電路如下所示:

wKgZomZBvnKAa-xAAAMmU8dD35Q524.png

漏電流測試,又稱為Leakage Test,漏電流測試的目的主要是檢驗(yàn)輸入Pin腳以及高阻狀態(tài)下的輸出Pin腳的阻抗是否夠高,測試連接電路如下所示:

wKgZomZBvnuAI5wTAALpoIkyecI570.png

DC參數(shù)的測試,一般都是Force電流測試電壓或者Force電壓測試電流,主要是測試阻抗性。一般各種DC參數(shù)都會(huì)在Datasheet里面標(biāo)明,測試的主要目的是確保芯片的DC參數(shù)值符合規(guī)范:

wKgZomZBvoOAQ87TAAE6zzOpnWU526.png



審核編輯 黃宇

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