全球四大云計算巨頭（CSP）——微軟、谷歌、亞馬遜AWS及Meta正在加大對人工智能（AI）領(lǐng)域的投入，預(yù)計全年總投資額將達到驚人的1700億美元。據(jù)臺灣業(yè)界分析，鑒于對高性能AI芯片的需求增長，硅中介層面積加大，導(dǎo)致12英寸晶圓切割出的數(shù)量減少，從而加劇了臺積電CoWoS先進封裝產(chǎn)能的緊張局面。

英偉達占據(jù)全球AI GPU市場約80%的份額，根據(jù)集邦咨詢預(yù)測，到2024年，臺積電CoWoS月產(chǎn)能有望增至4萬片，并在明年底實現(xiàn)翻番。然而，隨著英偉達B100和B200芯片的問世，單片硅中介層面積增大，CoWoS產(chǎn)能依然吃緊。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士指出，自2011年起，CoWoS技術(shù)不斷發(fā)展，每一代硅中介層面積都在增加，導(dǎo)致可從12英寸硅晶圓上切取的中介層硅片數(shù)量減少。同時，芯片搭載的HBM存儲數(shù)量呈指數(shù)級增長，且HBM標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高，GPU周圍需要放置多個HBM，這無疑給生產(chǎn)帶來了挑戰(zhàn)。

業(yè)界觀察家表示，HBM芯片產(chǎn)能同樣面臨巨大壓力，需采用EUV光刻機制造的芯片層數(shù)逐步增多。以HBM市場占有率領(lǐng)先的SK海力士為例，該公司已在1α制程引入EUV光刻機，并計劃在今年轉(zhuǎn)向1β制程，有望將EUV光刻機使用率提升3~4倍。除此以外，隨著HBM的多次升級換代，其容量也在穩(wěn)步提升，HBM4中的堆疊層數(shù)將高達16層。

綜合來看，在CoWoS與HBM雙重瓶頸制約下，短期內(nèi)產(chǎn)能問題恐難得到有效緩解。盡管臺積電的競爭對手英特爾提出了玻璃基板替代硅中介層的解決方案，但這一技術(shù)尚待進一步突破。