全球四大云計(jì)算巨頭（CSP）——微軟、谷歌、亞馬遜AWS及Meta正在加大對人工智能（AI）領(lǐng)域的投入，預(yù)計(jì)全年總投資額將達(dá)到驚人的1700億美元。據(jù)臺(tái)灣業(yè)界分析，鑒于對高性能AI芯片的需求增長，硅中介層面積加大，導(dǎo)致12英寸晶圓切割出的數(shù)量減少，從而加劇了臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能的緊張局面。

英偉達(dá)占據(jù)全球AI GPU市場約80%的份額，根據(jù)集邦咨詢預(yù)測，到2024年，臺(tái)積電CoWoS月產(chǎn)能有望增至4萬片，并在明年底實(shí)現(xiàn)翻番。然而，隨著英偉達(dá)B100和B200芯片的問世，單片硅中介層面積增大，CoWoS產(chǎn)能依然吃緊。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士指出，自2011年起，CoWoS技術(shù)不斷發(fā)展，每一代硅中介層面積都在增加，導(dǎo)致可從12英寸硅晶圓上切取的中介層硅片數(shù)量減少。同時(shí)，芯片搭載的HBM存儲(chǔ)數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長，且HBM標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高，GPU周圍需要放置多個(gè)HBM，這無疑給生產(chǎn)帶來了挑戰(zhàn)。

業(yè)界觀察家表示，HBM芯片產(chǎn)能同樣面臨巨大壓力，需采用EUV光刻機(jī)制造的芯片層數(shù)逐步增多。以HBM市場占有率領(lǐng)先的SK海力士為例，該公司已在1α制程引入EUV光刻機(jī)，并計(jì)劃在今年轉(zhuǎn)向1β制程，有望將EUV光刻機(jī)使用率提升3~4倍。除此以外，隨著HBM的多次升級(jí)換代，其容量也在穩(wěn)步提升，HBM4中的堆疊層數(shù)將高達(dá)16層。

綜合來看，在CoWoS與HBM雙重瓶頸制約下，短期內(nèi)產(chǎn)能問題恐難得到有效緩解。盡管臺(tái)積電的競爭對手英特爾提出了玻璃基板替代硅中介層的解決方案，但這一技術(shù)尚待進(jìn)一步突破。