電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)臺(tái)媒消息，傳聞英偉達(dá)已開(kāi)始開(kāi)發(fā)自己的HBM基礎(chǔ)裸片，預(yù)計(jì)英偉達(dá)的自研HBM基礎(chǔ)裸片采用3nm工藝制造，計(jì)劃在2027年下半年進(jìn)行小批量試產(chǎn)。并且這一時(shí)間點(diǎn)大致對(duì)應(yīng)"Rubin"后的下一代AI GPU "Feynman"。

有分析指出，英偉達(dá)此舉或是將部分GPU功能集成到基礎(chǔ)裸片中，旨在提高HBM和GPU的整體性能。英偉達(dá)會(huì)將UCIe接口集成到HBM4中，以實(shí)現(xiàn)GPU和CPU直接連接。

英偉達(dá)可能會(huì)在2027年上半年首先采用SK海力士供應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)HBM4E，然后從2027年下半年至2028年期間過(guò)渡到自己的定制HBM4E設(shè)計(jì)。

英偉達(dá)未來(lái)的 HBM 內(nèi)存供應(yīng)鏈將采用內(nèi)存原廠DRAM Die + 英偉達(dá) Base Die 的組合模式。
英偉達(dá)自研 Base Die 有助于加強(qiáng)其對(duì) HBM 內(nèi)存的議價(jià)能力，利于向 Base Die 導(dǎo)入一系列高級(jí)功能，且能為采用 NVLink Fusion IP 的第三方 ASIC 提供更多模塊化組合。

2025年1月初，三星DS部門存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部宣布已成功設(shè)計(jì)出第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的邏輯芯片。邏輯芯片位于芯片堆棧的底部，是控制HBM芯片的核心組件。三星電子計(jì)劃采用先進(jìn)的4nm工藝進(jìn)行技術(shù)升級(jí)，計(jì)劃從邏輯芯片的設(shè)計(jì)階段開(kāi)始尋求優(yōu)化，以通過(guò)其無(wú)晶圓廠系統(tǒng)LSI部門最大限度地提高HBM4芯片的性能。

今年4月，SK海力士宣布與臺(tái)積電（TSMC）簽署了諒解備忘錄（MOU），就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)密切合作。雙合作開(kāi)發(fā)第六代HBM產(chǎn)品，也就是HBM4，其中臺(tái)積電負(fù)責(zé)生產(chǎn)基礎(chǔ)裸片（Base Die）。

日前，美光高管表示，定制 HBM 內(nèi)存將在 HBM4 后的 HBM4E 時(shí)代正式落地。從 HBM4 開(kāi)始 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)芯片 Base Die 采用邏輯 CMOS 制程，現(xiàn)階段該芯片主要包含內(nèi)存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客戶希望將 AI xPU 的特定功能電路卸載到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面積利用率，因此需要定制 HBM 內(nèi)存。

韓國(guó)SK海力士高管近日表示，受益于人工智能需求爆發(fā)，公司預(yù)測(cè)到2030年HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片市場(chǎng)將以每年30%的速度增長(zhǎng)，定制化HBM市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到數(shù)百億美元?？蛻魧?duì)定制化需求日益增長(zhǎng)，部分客戶要求特定性能或功耗特性。目前，英偉達(dá)等大客戶已接受深度定制，而小客戶仍采用標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品。這種差異化策略成為SK海力士保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的重要因素。

而亞馬遜、微軟、Alphabet等云計(jì)算公司已提出數(shù)十億美元的AI資本支出計(jì)劃，且未來(lái)可能進(jìn)一步上調(diào)，這對(duì)HBM市場(chǎng)形成直接利好。Counterpoint分析指出，包括英偉達(dá)、亞馬遜、微軟、博通和美滿電子在內(nèi)，已有七到八家IT廠商在推動(dòng)HBM定制，預(yù)計(jì)到2026年HBM4亮相時(shí)，定制HBM市場(chǎng)將大幅擴(kuò)張。例如美滿電子與美光、三星和SK海力士合作，為下一代XPU定制HBM方案。