chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件

      CHANBAEK ? 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-05-23 11:20 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件（SiP）。這兩款新品與去年偉詮電子的旗艦氮化鎵SiP一同，共同構(gòu)成了首個(gè)基于Transphorm SuperGaN?平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵產(chǎn)品系列。

      此次合作不僅展現(xiàn)了Transphorm和偉詮電子在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實(shí)力，也標(biāo)志著氮化鎵功率半導(dǎo)體在系統(tǒng)集成方面邁出了重要一步。該系列產(chǎn)品的推出，將為電子設(shè)備的高效、穩(wěn)定供電提供強(qiáng)有力的支持。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • 集成電路
        +關(guān)注

        關(guān)注

        5446

        文章

        12478

        瀏覽量

        372778
      • 氮化鎵
        +關(guān)注

        關(guān)注

        66

        文章

        1858

        瀏覽量

        119236
      • 功率半導(dǎo)體
        +關(guān)注

        關(guān)注

        23

        文章

        1411

        瀏覽量

        45058
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器

        CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一
        發(fā)表于 12-12 09:40

        “芯”品發(fā)布｜鎵未來(lái)推出“9mΩ”車(chē)規(guī)級(jí) GaN FET，打破功率氮化鎵能效天花板！

        在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來(lái)正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車(chē)規(guī)級(jí)
        的頭像 發(fā)表于 11-27 16:17 ?1202次閱讀

        請(qǐng)問(wèn)芯源的MOS管也是用的氮化鎵技術(shù)嘛？

        現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
        發(fā)表于 11-14 07:25

        淺談氮化鎵器件的制造難點(diǎn)

        制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
        的頭像 發(fā)表于 07-25 16:30 ?4350次閱讀
        淺談<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>的制造難點(diǎn)

        氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

        氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
        的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?1225次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

        納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)深度解析

        前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
        的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2248次閱讀
        納微半導(dǎo)體雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開(kāi)關(guān)深度解析

        CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC

        深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過(guò)EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)
        發(fā)表于 03-31 14:26

        氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

        氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
        的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?4444次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>系統(tǒng)</b> (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

        京東方華燦光電氮化鎵器件的最新進(jìn)展

        日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒏咝?/div>
        的頭像 發(fā)表于 03-13 11:44 ?1421次閱讀

        氮化鎵（GaN）充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

        器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢(shì)：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
        的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?4229次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>（GaN）充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

        氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

        器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢(shì)：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
        的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?1051次閱讀
        <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

        垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

        過(guò)去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時(shí)，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣(mài)盤(pán)，這引發(fā)大家對(duì)垂直
        的頭像 發(fā)表于 02-17 14:27 ?1881次閱讀
        垂直<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

        Allegro發(fā)布兩款新型電流傳感器芯片

        和消費(fèi)類(lèi)等多個(gè)領(lǐng)域。 ACS37030MY和ACS37220MZ是Allegro專(zhuān)為精確電流傳感而設(shè)計(jì)的芯片。它們不僅具備出色的性能，還擁有緊湊且耐用的封裝特性。與市面上現(xiàn)有的16引腳封裝相比，這兩款
        的頭像 發(fā)表于 01-15 16:46 ?1194次閱讀

        氮化鎵充電器和普通充電器有啥區(qū)別？

        相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后
        發(fā)表于 01-15 16:41

        ZLG致遠(yuǎn)電子與麒麟軟件攜手推出兩款銀河麒麟嵌入式工控機(jī)

        近日，ZLG致遠(yuǎn)電子與國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)龍頭企業(yè)麒麟軟件積極響應(yīng)嵌入式產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化的大潮，共同推出了兩款重磅級(jí)的銀河麒麟嵌入式操作
        的頭像 發(fā)表于 12-16 11:02 ?1697次閱讀