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AMD披露高效數(shù)據(jù)中心策略,預(yù)計至2027年能效提升超百倍

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-24 17:37 ? 次閱讀
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AMD首席執(zhí)行官蘇姿豐出席imec ITF World 2024大會并榮獲創(chuàng)新獎,此項榮譽(yù)旨在肯定其卓越創(chuàng)新及引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展之貢獻(xiàn)。先前同樣獲得該獎項的還有戈登·摩爾和比爾·蓋茨。

會議期間,蘇姿豐談?wù)摿薃MD如何通過實(shí)施30x25戰(zhàn)略推動2025年計算節(jié)點(diǎn)能效提升30倍的目標(biāo)。她進(jìn)一步透露,AMD已找到2026年至2027年間將能效提升100倍以上的解決方案。

隨著生成式AI LLM如ChatGPT的崛起,AI功耗問題日益凸顯。AMD早在2021年便洞察到AI龐大功耗需求所引發(fā)的挑戰(zhàn),并以此為契機(jī)啟動30x25戰(zhàn)略,致力于提升數(shù)據(jù)中心計算節(jié)點(diǎn)能效,尤其針對AI和HPC的高能耗問題。

隨著訓(xùn)練模型所需算力不斷攀升,AI功耗問題愈發(fā)嚴(yán)峻。蘇姿豐指出,早期圖像和語音識別AI模型體積每兩年翻番,與過去十年計算能力提升速度相當(dāng)。然而,生成式AI模型規(guī)?,F(xiàn)今正以每年20倍的速度擴(kuò)張,遠(yuǎn)超計算和存儲進(jìn)步速度。盡管當(dāng)前最大模型需借助數(shù)萬個GPU進(jìn)行訓(xùn)練,耗費(fèi)數(shù)萬兆瓦時電力,但未來模型規(guī)模迅速擴(kuò)大后,或需動用數(shù)十萬個GPU,甚至數(shù)吉瓦時電力進(jìn)行訓(xùn)練。

為了提升能效,AMD采取了全方位策略,涵蓋硅架構(gòu)升級、先進(jìn)封裝策略、AI專用架構(gòu)設(shè)計、系統(tǒng)及數(shù)據(jù)中心級調(diào)整,以及軟硬件協(xié)同設(shè)計等多個層面。

硅材料無疑是基礎(chǔ)。蘇姿豐強(qiáng)調(diào),AMD正在推進(jìn)3nm GAA晶體管研發(fā),旨在提升功率效率和性能,同時持續(xù)關(guān)注先進(jìn)封裝和互聯(lián)技術(shù),以實(shí)現(xiàn)更高效、經(jīng)濟(jì)的模塊化設(shè)計。先進(jìn)封裝在突破單芯片封裝性能瓶頸方面具有重要意義,AMD采用2.5D和3D封裝混合技術(shù),最大化每平方毫米數(shù)據(jù)中心硅片的計算能力。

在服務(wù)器節(jié)點(diǎn)與服務(wù)器機(jī)架間傳輸數(shù)據(jù)因距離過長導(dǎo)致額外電力消耗,優(yōu)化數(shù)據(jù)局部性可大幅節(jié)約能源。AMD MI300X展示了大規(guī)模芯片封裝所帶來的效率優(yōu)勢——該芯片包含1530億個晶體管,分布在12個芯片上,配備24個HBM3芯片,提供192GB存儲容量,均可作為本地內(nèi)存供GPU使用。此外,封裝內(nèi)單元間經(jīng)功率和性能優(yōu)化的Infinity Fabric互連,使得極高的計算和存儲密度能夠?qū)⒏鄶?shù)據(jù)保存在接近處理核心的位置,從而降低數(shù)據(jù)傳輸所需能量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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