在電力電子領域,納微半導體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體技術,已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日,該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展,并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術成果。
作為氮化鎵和碳化硅功率半導體行業(yè)的領導者,納微半導體一直致力于為快充、功率轉(zhuǎn)換、儲能和電機驅(qū)動等應用提供最安全、最高效、最可靠的功率器件。此次參展,納微半導體將展示其如何在20W至20MW的快速增長市場和應用中,通過先進的氮化鎵和碳化硅技術,實現(xiàn)卓越的性能表現(xiàn)。
PCIM 2024作為全球頂尖的電力電子盛會,吸引了眾多業(yè)內(nèi)專家和企業(yè)的關注。納微半導體將借此機會,與全球業(yè)界同仁共同探討電力電子技術的未來發(fā)展趨勢,推動行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與發(fā)展。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
氮化鎵
+關注
關注
67文章
1902瀏覽量
119897 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3494瀏覽量
52482 -
納微半導體
+關注
關注
7文章
162瀏覽量
21401
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
技術突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
耐火材料與純碳化硅材料面臨極限挑戰(zhàn)時,氮化硅陶瓷的技術指標為這一領域提供了更具針對性的升級方案。
一、產(chǎn)品細節(jié):氮化硅陶瓷的技術優(yōu)勢
針對
發(fā)表于 03-20 11:23
納微半導體與文曄科技進一步強化戰(zhàn)略合作
加利福尼亞州托倫斯 — 2025年11月27日訊 — 下一代GaNFast氮化鎵(GaN)與GeneSiC碳化硅(SiC)技術行業(yè)領導者——納
納微半導體公布2025年第三季度財務業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業(yè)領導者——納
羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領功率半導體創(chuàng)新
2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場,羅姆(ROHM)攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu)
SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與
基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案
半導體器件作為現(xiàn)代電子技術的核心元件,廣泛應用于集成電路、消費電子及工業(yè)設備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵(GaN)和碳化
納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業(yè)應用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與
基本半導體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;?b class='flag-5'>半導體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關需仔細考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題,而驅(qū)動電路在這些方面都起著
納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證,這標志著
納微半導體將亮相PCIM 2024,展示氮化鎵與碳化硅技術
評論