三菱電機(jī)發(fā)布新型低電流SiC-MOSFET模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場對高性能逆變器日益增長的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規(guī)格，將于6月10日起正式投入市場。

作為三菱電機(jī)Unifull系列的新成員，這兩款低電流SiC-MOSFET模塊與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一同，為鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備提供了更廣泛的選擇。Unifull系列現(xiàn)包含三款產(chǎn)品，均旨在提高功率輸出和功率轉(zhuǎn)換效率，助力各類工業(yè)設(shè)備實現(xiàn)更高的能效和更穩(wěn)定的運行。

值得一提的是，三菱電機(jī)的新型SiC-MOSFET模塊將在即將舉行的PCIM Europe 2024（6月11-13日，德國紐倫堡）上進(jìn)行展出。此次展會將為全球電子行業(yè)的專業(yè)人士提供一個交流與合作的平臺，三菱電機(jī)也將借此機(jī)會向全球客戶展示其在SiC-MOSFET領(lǐng)域的創(chuàng)新成果和技術(shù)實力。

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