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三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

三菱電機半導體 ? 來源:三菱電機 ? 2024-12-25 15:59 ? 次閱讀
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三菱電機集團近日宣布,將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊樣品,這兩款模塊額定電壓均為1.7kV,適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業(yè)設(shè)備。得益于三菱電機專有的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片和絕緣結(jié)構(gòu),新模塊實現(xiàn)了出色的可靠性、低功率損耗和低熱阻,有望提高大型工業(yè)設(shè)備中逆變器的可靠性和效率。

憑借高效的電能轉(zhuǎn)換能力,功率半導體正越來越多地被用于助力實現(xiàn)更加低碳的社會。功率半導體模塊可用于大型工業(yè)設(shè)備的電力轉(zhuǎn)換裝置,如鐵路牽引系統(tǒng)、電源和直流輸電中的逆變器。為進一步提高電力裝置轉(zhuǎn)換效率,市場對高功率、高效率功率半導體的需求日益增長。此外,功率半導體模塊還必須具有高絕緣電壓能力以確??煽啃?,降低逆變器內(nèi)部發(fā)生短路和泄漏電流的風險,從而提高安全性。

三菱電機的1.7kV HVIGBT模塊自1997年發(fā)布以來,憑借其卓越的性能和高可靠性而廣受好評,并已廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)的逆變器中。

新的S1系列模塊采用了三菱電機專有的RFC(Relaxed Field of Cathode)二極管,與之前的型號*相比,反向恢復安全工作區(qū)(RRSOA)擴大了2.2倍,從而提高了逆變器的可靠性。此外,該模塊還使用了具有載流子存儲式溝槽柵雙極型晶體管(CSTBT**)結(jié)構(gòu)的IGBT芯片,有助于降低功率損耗和熱阻,使逆變器更加高效。而且,三菱電機專有的絕緣結(jié)構(gòu)將模塊的絕緣電壓提高到了6.0kVrms,是之前產(chǎn)品*的1.5倍,使模塊的絕緣能力可以靈活的兼容多種類型的逆變器。

產(chǎn) 品 特 點

專有RFC二極管和IGBT元件,以及CSTBT結(jié)構(gòu),實現(xiàn)可靠高效的逆變器

采用專有RFC二極管,與現(xiàn)有型號*相比,反向恢復安全工作區(qū)(RRSOA)提高了2.2倍,從而提升了逆變器的可靠性,擴大了在開關(guān)過程中反向恢復電流和反向電壓的安全工作保證范圍。

采用RFC二極管與CSTBT結(jié)構(gòu)IGBT芯片,可降低功率損耗和熱阻,進而提高逆變器的效率。

1.5倍更高的絕緣電壓,兼容多種逆變器

三菱電機專有的絕緣結(jié)構(gòu)將絕緣電壓提高到6.0kVrms,是現(xiàn)有產(chǎn)品*的1.5倍,從而提高了絕緣設(shè)計的靈活性,以兼容多種類型的逆變器。

與現(xiàn)有產(chǎn)品*尺寸兼容,簡化逆變器設(shè)計

通過保持與現(xiàn)有產(chǎn)品*相同的外部尺寸,功率模塊可以輕松替換,從而簡化和縮短新逆變器設(shè)計的過程。

主要規(guī)格

f2d5953c-c28e-11ef-9310-92fbcf53809c.jpg

* 與CM1200DC-34N、CM1200E4C-34N和CM1200DC-34S相比較

** 三菱電機專有的具有載流子存儲效應(yīng)的IGBT芯片結(jié)構(gòu)

*** CSTBT是三菱電機株式會社的商標

關(guān)于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截至2024年3月31日的財年,集團營收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導體已有68年。其半導體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

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原文標題:【新品】三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

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