ZnO電阻片在低電場區(qū)域的泄漏電流及其電阻的負(fù)溫度系數(shù)
在低電場區(qū)域,流過ZnO非線性電阻的泄漏電流小于1mA.泄漏電流不僅與施加的電壓幅值有關(guān),而且與溫度高低有關(guān)。圖2.6表示溫度對(duì)泄漏電流的影響,溫度越高,電子在電場作用下定向的運(yùn)動(dòng)就越激烈,導(dǎo)致泄漏電流增大。因此溫度升高將導(dǎo)致電陽值下降,即ZnO 電阻呈現(xiàn)負(fù)溫度特性。
一般以非線性電阻的直流1mA參考電壓的變化來衡量非線性電阻的負(fù)溫度系數(shù)。將Zn0非線性電阻的負(fù)溫度系數(shù)。r定義為在規(guī)定的溫度T時(shí)溫度每變化1℃時(shí)測得的1mA電壓的相對(duì)變化率,表示為
若取 U,…A為室溫時(shí)的1mA 參考電壓,則ZnO非線性電阻的負(fù)溫度系數(shù)值一般處在-10-3/℃到-10-4/℃的范圍內(nèi)。
審核編輯 黃宇
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