近日，半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布，其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動(dòng)汽車(EV)充電站在內(nèi)的多種高要求應(yīng)用場(chǎng)景在尺寸和功率上的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

這款新推出的SiC肖特基二極管技術(shù)亮點(diǎn)在于其無(wú)反向恢復(fù)電流的特性，這意味著開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗極低。此外，該二極管在熱管理方面的改進(jìn)也令人矚目，有助于降低系統(tǒng)冷卻需求，使工程師能夠設(shè)計(jì)出更高效、性能更優(yōu)的電源系統(tǒng)。通過(guò)減少系統(tǒng)產(chǎn)生的熱量，這些器件允許使用更小的散熱器，從而節(jié)省了成本和空間。

具體而言，SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封裝)分立二極管，在最大正向電流方面分別達(dá)到了110A和151A。其設(shè)計(jì)支持簡(jiǎn)單的并聯(lián)配置，為電源應(yīng)用提供了更高的靈活性和可擴(kuò)展性。

同時(shí)，GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3雙二極管模塊，采用SOT-227封裝，每個(gè)組件的最大正向電流分別為110A和214A，能夠滿足更高功率輸出的需求。

這些SiC二極管在高頻下的性能尤為出色，低損耗和低電磁干擾(EMI)的操作特性使它們成為提高能源效率和可靠性的理想選擇。其內(nèi)部隔離封裝(AIN)提供了出色的絕緣和導(dǎo)熱性，結(jié)和外殼之間的低熱阻確保了即使在高功率水平下也能保持穩(wěn)定性。此外，正向電壓(Vf)的正溫度系數(shù)(Tc)特性有助于模塊的并聯(lián)使用，進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)的靈活性和可靠性。

SemiQ表示，這些新開(kāi)發(fā)的1,700V SiC二極管在功率效率和可靠性方面取得了重大進(jìn)步。QSiC?二極管的設(shè)計(jì)緊湊且靈活，運(yùn)行損耗低，熱管理出色，為客戶開(kāi)發(fā)先進(jìn)且高性能的解決方案提供了有力支持。所有組件均經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的電壓測(cè)試和雪崩測(cè)試，確保了其卓越的性能和可靠性。

隨著電動(dòng)汽車和可再生能源技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)高效、可靠的電力電子器件的需求不斷增長(zhǎng)。SemiQ此次推出的1,700V SiC肖特基二極管，無(wú)疑將為電源和電動(dòng)汽車充電站等領(lǐng)域帶來(lái)更加出色的性能和效率提升。