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探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管:高效與可靠的完美結(jié)合

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-11-28 14:15 ? 次閱讀
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探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管:高效與可靠的完美結(jié)合

在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時代,功率半導(dǎo)體器件的性能提升至關(guān)重要。碳化硅(SiC)肖特基二極管作為新一代功率半導(dǎo)體,憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用領(lǐng)域的首選。今天,我們就來深入探討 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管。

文件下載:onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二極管.pdf

技術(shù)革新:SiC 肖特基二極管的優(yōu)勢

SiC 肖特基二極管采用全新技術(shù),與傳統(tǒng)硅基二極管相比,具有顯著的優(yōu)勢。它沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些特點使得 SiC 成為下一代功率半導(dǎo)體的代表。在系統(tǒng)層面,SiC 肖特基二極管能夠帶來諸多好處,如實現(xiàn)最高效率、支持更快的工作頻率、提高功率密度、降低電磁干擾(EMI),同時還能減小系統(tǒng)尺寸和成本。

產(chǎn)品特性:卓越性能鑄就可靠品質(zhì)

溫度與雪崩特性

NDSH40120C-F155 的最大結(jié)溫可達 175°C,這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。同時,它的雪崩額定能量為 251 mJ,具有較高的單脈沖雪崩能量承受能力,能有效應(yīng)對突發(fā)的能量沖擊。

電流與系數(shù)特性

該二極管具有高浪涌電流容量,能夠承受較大的瞬間電流沖擊。其正溫度系數(shù)特性使得它在并聯(lián)使用時更加穩(wěn)定,易于實現(xiàn)多個二極管的并聯(lián),以滿足更高功率的需求。

恢復(fù)特性與環(huán)保特性

值得一提的是,NDSH40120C-F155 沒有反向恢復(fù)和正向恢復(fù)問題,這有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。而且,它是無鹵、無溴化阻燃劑(BFR)的,符合 RoHS 標準,體現(xiàn)了環(huán)保理念。

應(yīng)用領(lǐng)域:廣泛適用滿足多樣需求

NDSH40120C-F155 的應(yīng)用范圍十分廣泛,適用于通用目的電路,如開關(guān)模式電源(SMPS)、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及各種功率開關(guān)電路等。在這些應(yīng)用中,它的高性能能夠充分發(fā)揮,為系統(tǒng)的穩(wěn)定運行提供保障。

電氣與熱特性:精準參數(shù)助力設(shè)計

絕對最大額定值

Symbol Parameter Value Unit
VRRM Peak Repetitive Reverse Voltage 1200 V
EAS Single Pulse Avalanche Energy (Note 1) 251 mJ
IF Continuous Rectified Forward Current@Tc<143°C 40 A
IF Continuous Rectified Forward Current@Tc<135°C 46 A
lF.Max Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Tc=25°C,10 μs) 1295 A
lF.Max Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Tc =150°C,10 μs) 1274 A
IF.SM Non-Repetitive Forward Surge Current (Half-Sine Pulse, tp=8.3 ms) 195 A
IF.RM Repetitive Forward Surge Current (Half-Sine Pulse,tp=8.3 ms) 73 A
Ptot Power Dissipation (Tc = 25°C) 366 W
Ptot Power Dissipation (Tc =150°C) 61 W
TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 to +175 °C

這些絕對最大額定值為我們在設(shè)計電路時提供了安全邊界,確保設(shè)備在正常工作范圍內(nèi)運行,避免因過壓、過流等情況損壞器件。

熱特性

Symbol Parameter Value Unit
RaJC Thermal Resistance, Junction to Case, Max 0.41 °C/W
RBJA Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max 40 °C/W

熱阻參數(shù)反映了器件的散熱能力,較低的熱阻有助于將結(jié)溫產(chǎn)生的熱量快速散發(fā)出去,保證器件在合適的溫度下工作,提高其可靠性和穩(wěn)定性。

電氣特性

Symbol Parameter Test Condition Min Typ Max Unit
VF Forward Voltage (IF =40 A,TJ=25°C) 1.4 1.75 V
VF Forward Voltage (IF = 40 A,TJ=125°C) 1.66 V
VF Forward Voltage (IF = 40 A, TJ=175°C) 1.9 V
IR Reverse Current (VR= 1200 V, T =25°C) 9 200 μA
IR Reverse Current (VR=1200 V, T =125°C) 22 200 μA
IR Reverse Current (VR= 1200 V, TJ=175°C) 46 200 μA
Qc Total Capacitive Charge (V=800V) 184 nC
C Total Capacitance (VR=1V,f=100 kHz) 2840 pF
C Total Capacitance (VR=400V,f=100kHz) 159 pF
C Total Capacitance (VR=800V,f=100kHz) 115 pF

這些電氣特性參數(shù)詳細描述了二極管在不同工作條件下的性能表現(xiàn),對于電路設(shè)計工程師來說,準確掌握這些參數(shù)能夠幫助他們優(yōu)化電路設(shè)計,提高系統(tǒng)性能。

封裝與訂購信息:方便設(shè)計與采購

NDSH40120C-F155 采用 TO-247-2LD 封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。其標記圖明確了器件代碼、組裝工廠代碼、日期代碼和批次代碼等信息,方便生產(chǎn)管理和追溯。在訂購時,我們可以根據(jù)需求選擇合適的包裝數(shù)量,每管 30 個單位的包裝方式滿足了不同規(guī)模的生產(chǎn)需求。

總結(jié)與思考

onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管憑借其先進的技術(shù)、卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際設(shè)計中,我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景和需求,合理利用其各項特性和參數(shù),以實現(xiàn)最佳的系統(tǒng)性能。同時,我們也應(yīng)該關(guān)注器件的散熱設(shè)計和保護措施,確保其在長期運行中保持穩(wěn)定可靠。大家在使用這款二極管的過程中,有沒有遇到過一些特別的問題或者有什么獨特的設(shè)計經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享交流。

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