今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅(jiān)固耐用、性能卓越的IGBT ，這款I(lǐng)GBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V，具有快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管，漏電流極低，在高結(jié)溫和低結(jié)溫下也表現(xiàn)出出色的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)特性。

TGH80N65F2DS IGBT 采用先進(jìn)的細(xì)溝槽柵極場(chǎng)截止 (FS) 技術(shù)，可確保整個(gè)器件的電場(chǎng)分布一致。該技術(shù)使 IGBT 能夠承受更高的擊穿電壓，并增強(qiáng)其動(dòng)態(tài)控制能力。這些器件將通過(guò)提供傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳平衡以及改進(jìn)的電磁干擾 (EMI )設(shè)計(jì)，提高中高開(kāi)關(guān)頻率的各種電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)的效率。

TGH80N65F2DS絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 提供 650V/80A的額定電壓和電流。這些 IGBT 提供 TO247 或 TO-247-3L 封裝，具體取決于所選的具體器件。所有器件均可在最高結(jié)溫 (Tj) 175°C 下工作，并且已在此極限下接受高壓 H3TRB(高濕度、高溫和高壓反向偏置)和 100% 偏置 HTRB(高溫反向偏置)測(cè)試。

專(zhuān)為太陽(yáng)能逆變器、電機(jī)控制系統(tǒng)、不間斷電源 (UPS) 和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)，正溫度系數(shù)使其更易于并聯(lián)運(yùn)行，適用于需要更高性能的應(yīng)用，裸片、分立和模塊產(chǎn)品變體的可用性為各種目標(biāo)設(shè)計(jì)提供了靈活性。

特征

? 650V場(chǎng)阻溝槽IGBT技術(shù)

? 寬溫度范圍的低開(kāi)關(guān)損耗

? 正溫度系數(shù)

? 輕松并行操作

? 符合RoHS

? JEDEC資格

? 175℃工作溫度

應(yīng)用

? UPS、逆變器、太陽(yáng)能、焊機(jī)