加速寬禁帶產(chǎn)品供應并推出15款全新基于GaN的成功產(chǎn)品組合參考設計

2024 年 6 月 20 日，日本東京訊 ― 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）今日宣布，已于2024年6月20日完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）的收購。隨著收購的完成，瑞薩電子將立即開始提供基于GaN的功率產(chǎn)品和相關(guān)參考設計，以滿足對寬禁帶（WBG）半導體產(chǎn)品日益增長的需求。

與傳統(tǒng)的硅基器件相比，GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料具有出色的功率效率、更高的開關(guān)頻率和較小的占用空間，因此被視為下一代功率半導體的關(guān)鍵技術(shù)。受電動汽車（EV）、變頻器、數(shù)據(jù)中心服務器、人工智能（AI）、可再生能源、工業(yè)電源轉(zhuǎn)換和消費應用等需求的推動，GaN和SiC產(chǎn)品預計在未來十年內(nèi)都將快速增長。

Chris Allexandre, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示：“通過集成兩家公司技術(shù)的交鑰匙參考設計，客戶可以立即從新的GaN產(chǎn)品中受益。將GaN添加到我們的產(chǎn)品陣容中也加強了我們致力于開發(fā)讓人們的生活更輕松的產(chǎn)品和技術(shù)的承諾。提供強大且可持續(xù)的電源解決方案，節(jié)省能源、降低成本并最大限度地減少對環(huán)境的影響，正是我們實現(xiàn)這一目標的途徑。”

投資電源業(yè)務是瑞薩實現(xiàn)可持續(xù)長期增長戰(zhàn)略的重要組成部分。瑞薩近期為鞏固這一細分市場而采取的其他舉措包括：開設專門生產(chǎn)電源產(chǎn)品的300mm晶圓廠甲府工廠；在高崎工廠增加一條新的SiC生產(chǎn)線；并與Wolfspeed達成協(xié)議，確保未來10年SiC晶圓的穩(wěn)定供應。隨著GaN技術(shù)現(xiàn)已成為瑞薩產(chǎn)品陣容的一部分，瑞薩準備提供更全面的電源解決方案，以滿足廣泛應用領(lǐng)域客戶不斷變化的需求。

在完成收購Transphorm的同一天，瑞薩推出了15款全新成功產(chǎn)品組合，這些可立即投入市場的參考設計將新的GaN產(chǎn)品與瑞薩的嵌入式處理、電源、連接和模擬產(chǎn)品相結(jié)合。其中包括將Transphorm的汽車級GaN技術(shù)，用于車載電池充電器以及電動汽車的三合一動力系統(tǒng)解決方案。

例如：

500W兩輪電動車車載電池充電器

三合一電動汽車系統(tǒng)：變頻器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器

240W 48V擴展功率范圍AC/DC適配器

3.6KW雙向數(shù)字電源DAB系統(tǒng)

Transphorm成立于2007年，總部位于美國加利福尼亞州戈利塔，源自加州大學圣巴巴拉分校和寬緊帶行業(yè)，以獨特的技術(shù)創(chuàng)新為基礎。Transphorm是GaN半導體領(lǐng)域的創(chuàng)新者，設計、制造和銷售高性能、高可靠性的GaN電源產(chǎn)品，廣泛適用于各種高壓電源轉(zhuǎn)換應用。

審核編輯 黃宇