電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年春節(jié)期間，EPC宣布與瑞薩達成一項全面的技術授權協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子將取得 EPC 成熟的低壓 eGaN 技術，及其完善的供應鏈生態(tài)，從而加速高性能氮化鎵解決方案在市場中的應用。EPC與瑞薩將在未來一年內合作建立這些產品的晶圓制造能力。此外，瑞薩電子還將作為第二貨源供應商，生產 EPC 數(shù)款已步入量產的熱門氮化鎵器件，從而增強客戶們的供應鏈韌性。

在高壓GaN產品上，瑞薩此前通過收購Transphorm已經(jīng)獲得覆蓋650V-1200V的高壓GaN技術，已經(jīng)應用于AC-DC電源、光伏逆變器、工業(yè)電機驅動等場景。

從市場需求來看，GaN的應用場景正從消費電子快充，快速向AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、工業(yè)電機驅動、光伏逆變器等更高價值領域延伸。其中，AI數(shù)據(jù)中心48V母線轉12V乃至1V的低壓大電流場景，成為當前GaN市場的核心增量，對低壓GaN器件的性能與可靠性提出了極高要求。

EPC在新聞稿中表示，通過此次合作，EPC的低壓 eGaN 專業(yè)知識，使得瑞薩電子有能力提供業(yè)界最全面的氮化鎵功率產品組合之一，覆蓋從低壓到高壓的多種應用，進一步加速氮化鎵技術革命。通過在低壓GaN產品線與EPC的合作，瑞薩在AI電源等新的增量市場上，將能夠提供更完整的產品組合。

與此同時，GaN行業(yè)格局在近年也發(fā)生了巨大的變化。臺積電作為此前GaN行業(yè)代工巨頭，明確宣布將逐步退出GaN代工業(yè)務，并計劃在2027年徹底完成退出，這一決定引發(fā)GaN制造能力的重新配置，二線晶圓廠加速接盤，而IDM模式憑借對制造、品質的掌控力，成為GaN領域的主流發(fā)展方向。在這樣的背景下，單純依靠自身技術研發(fā)或產能布局，已難以快速抓住市場機遇，行業(yè)整合與協(xié)同合作成為企業(yè)突破發(fā)展瓶頸的關鍵。

因此，在這次合作中，EPC與瑞薩將在未來一年內合作建立GaN產品的晶圓制造能力，作為Fabless的EPC，能夠借助瑞薩的全球IDM制造體系，來重新構建產能布局，進一步實現(xiàn)全球化的供應鏈。在當前全球供應鏈走向區(qū)域化、本土化的趨勢下，這種新的供應體系能夠帶來更穩(wěn)定的產品供應，為客戶提供多重保障。

從近幾年的GaN市場格局來看，功率GaN廠商也正在走向整合，包括英飛凌收購GaN Systems、瑞薩收購Transphorm、PI收購Odyssey全部資產、ST收購Exagan、華潤微收購大連芯冠科技等。

而另一方面，傳統(tǒng)功率大廠與GaN廠商之間的合作也在進一步加深，在這一次EPC與瑞薩的合作之外，更早前安森美也與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機會；意法半導體在去年11月推出了一系列基于氮化鎵技術的反激式電源集成器件，也采用了英諾賽科700V高性能氮化鎵晶圓。

小結：
功率GaN市場正在從消費電子往工業(yè)、汽車、數(shù)據(jù)中心等新增量市場滲透的關鍵節(jié)點，而更全面的產品組合，以及供應鏈把控能力，將成為未來GaN市場競爭中的關鍵因素。