與BUMP有關(guān)參數(shù) KNS機(jī)型
共讀好書
審核編輯 黃宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
SSB
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
35瀏覽量
14665
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
晶圓級(jí)封裝Bump制作中錫膏和助焊劑的應(yīng)用解析
本文聚焦晶圓級(jí)封裝 Bump 制作中錫膏與助焊劑的核心應(yīng)用，以焊料印刷法、植球法為重點(diǎn)展開(kāi)。印刷法中，錫膏是凸點(diǎn)主體，需依凸點(diǎn)尺寸選 6/7 號(hào)超細(xì)粉，助焊劑融入其中實(shí)現(xiàn)氧化清除與潤(rùn)濕；植球法里錫膏
晶圓級(jí)封裝（WLP）中Bump凸點(diǎn)工藝：4大實(shí)現(xiàn)方式的技術(shù)細(xì)節(jié)與場(chǎng)景適配
在晶圓級(jí)封裝（WLP）中，Bump 凸點(diǎn)是芯片與基板互連的關(guān)鍵，主流實(shí)現(xiàn)方式有電鍍法、焊料印刷法、蒸發(fā) / 濺射法、球放置法四類，差異顯著。選型需結(jié)合凸點(diǎn)密度、成本預(yù)算與應(yīng)用特性，平衡性能與經(jīng)濟(jì)性。
高格欣|條形屏在零售/交通/工業(yè)顯示場(chǎng)景核心參數(shù)
一、核心參數(shù)解析（按顯示技術(shù)分類）（一）LCD/OLED智能條形屏顯示基礎(chǔ)參數(shù)分辨率：主流覆蓋1080P至4K超清，如75寸機(jī)型采用3840×1080分辨率，像素密度達(dá)85PPI，文字邊緣無(wú)鋸齒失真
【案例1.6】在電子產(chǎn)品測(cè)試中與濕度有關(guān)的問(wèn)題
【案例1.6】在電子產(chǎn)品測(cè)試中與濕度有關(guān)的問(wèn)題本案例討論與濕度有關(guān)的測(cè)試項(xiàng)目?！居懻摗縀SD（ElectronicStateDischarge，靜電放電）敏感度測(cè)試是EMC測(cè)試中的一個(gè)重要測(cè)試項(xiàng)目
聊聊倒裝芯片凸點(diǎn)（Bump）制作的發(fā)展史
凸點(diǎn)（Bump）是倒裝芯片的“神經(jīng)末梢”，其從金凸點(diǎn)到Cu-Cu鍵合的演變，推動(dòng)了芯片從平面互連向3D集成的跨越。未來(lái)，隨著間距縮小至亞微米級(jí)、材料與工藝的深度創(chuàng)新，凸點(diǎn)將成為支撐異構(gòu)集成、高帶寬芯片的核心技術(shù)，在AI、5G、汽車電子等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。
混合鍵合（Hybrid Bonding）工藝介紹
焊錫球凸點(diǎn)(solder bump)或微凸點(diǎn)（Micro bump）來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與基板，芯片與中介層(Interposer),芯片與芯片間的電連接。Solder bump/micro bump
UPS電源—想懂UPS電源參數(shù)？看這里
在選擇UPS電源時(shí)，請(qǐng)根據(jù)實(shí)際需求、預(yù)算和場(chǎng)地條件等因素進(jìn)行綜合考慮，選擇最適合的UPS電源型號(hào)。建議咨詢正規(guī)的UPS電源供應(yīng)商，以獲取專業(yè)的建議和支持。下面具體聊一下和UPS電源有關(guān)的主要參數(shù)。
電解電容的紋波電流參數(shù)代表什么？
電解電容的紋波電流參數(shù)代表的是流經(jīng)電容器的交流電流的有效值(RMS值)，它在電壓上的表現(xiàn)為脈動(dòng)或紋波電壓，是描述電容器對(duì)交流信號(hào)響應(yīng)能力和能量損耗的重要參數(shù)。以下是對(duì)紋波電流參數(shù)的詳細(xì)解析： 定義
三相異步電機(jī)型式試驗(yàn)臺(tái)電源與加載系統(tǒng)
摘要:電機(jī)型式試驗(yàn)是電機(jī)產(chǎn)品鑒定中必不可少的一個(gè)環(huán)節(jié),電源與加載系統(tǒng)是電機(jī)型式試驗(yàn)臺(tái)的關(guān)鍵組成部分。介紹了三相異步電機(jī)型式試驗(yàn)臺(tái)電源與加載系統(tǒng)的一種設(shè)計(jì)方案。該方案利用交流變頻技術(shù)和同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁
發(fā)表于 06-16 21:46
混合鍵合工藝介紹
焊錫球凸點(diǎn)(solder bump)或微凸點(diǎn)（Micro bump）來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與基板，芯片與中介層(Interposer),芯片與芯片間的電連接。Solder bump/micro bump
深入探索：晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)
實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)，探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
vivo、OPPO、小米或跟進(jìn)超薄機(jī)型
在三星于Galaxy全球發(fā)布會(huì)預(yù)熱超薄機(jī)型Galaxy S25 Edge后，據(jù)知名博主“數(shù)碼閑聊站”爆料，2025年vivo、OPPO、小米等廠商也會(huì)跟進(jìn)超薄機(jī)型。 據(jù)悉，這些廠商推出的超薄機(jī)型部分
藍(lán)鵬測(cè)控?cái)?shù)據(jù)采集新平臺(tái)適配機(jī)型 再添一款雙軸測(cè)徑儀
藍(lán)鵬測(cè)控新平臺(tái)適配機(jī)型再添一款雙軸測(cè)徑儀，這一消息標(biāo)志著藍(lán)鵬測(cè)控在跨行業(yè)應(yīng)用和技術(shù)創(chuàng)新方面取得了新的進(jìn)展。
藍(lán)鵬測(cè)控新一代的測(cè)控平臺(tái)LP-SCADA集成了先進(jìn)的測(cè)量、測(cè)試和控制技術(shù)，具有高速度
發(fā)表于 01-14 14:39
陶瓷電容的密度與什么有關(guān)？
4g/cm3到6g/cm3之間，這些陶瓷通常是氧化鋁(Al?O?)或其他陶瓷材料的復(fù)合物。 而若是指陶瓷電容的容量密度，即單位體積內(nèi)所能存儲(chǔ)的電荷量，則與以下因素有關(guān)： 1、材料選擇 ：陶瓷電容的介質(zhì)材料直接影響其容量密度。不同種類的陶瓷材料具有不同的介電常數(shù)
驅(qū)動(dòng)板和屏幕的面板類型有關(guān)系嗎
驅(qū)屏板和屏幕的面板類型有關(guān)系嗎？明思銳液晶屏方案商告訴你。沒(méi)有關(guān)系！驅(qū)屏板和屏幕的接口有關(guān)，和面板類型無(wú)關(guān)。 ? 屏幕面板類型包括oled、IPS、VA和TN，但這些都和顯示屏驅(qū)動(dòng)板沒(méi)什么
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論