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基于波導(dǎo)集成的石墨烯一體化光電器件

MEMS ? 來(lái)源:MEMS ? 2024-06-26 17:07 ? 次閱讀
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最近,西湖大學(xué)李蘭研究員課題組提出了基于石墨烯異質(zhì)結(jié)的調(diào)制、探測(cè)一體化集成光電子器件,該器件利用了石墨烯可調(diào)的復(fù)折射率和零帶隙特性,將石墨烯異質(zhì)結(jié)與微環(huán)諧振器集成、通過控制偏壓,實(shí)現(xiàn)了光場(chǎng)調(diào)控和探測(cè)。

西湖大學(xué)研究員李蘭為論文的通訊作者,香港理工大學(xué)博士后吳江宏(博士畢業(yè)于浙江大學(xué)-西湖大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)項(xiàng)目)為本文的第一作者。浙江大學(xué)研究員林宏?duì)c,中科院微電子所高級(jí)工程師唐波,西湖大學(xué)助理研究員孫春雷,國(guó)科大杭州高等研究院特聘副研究員李鈞穎,西湖大學(xué)博士生菅佳玲、孫博姝、葉羽婷、鄧慶顏、唐仁杰,浙江大學(xué)博士生馬輝共同參與指導(dǎo)了該研究工作。該工作得到了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等項(xiàng)目的資助。

集成光電子芯片具有小尺寸、低功耗、大帶寬、高集成密度等優(yōu)勢(shì),已被廣泛應(yīng)用于光通訊、光傳感、光計(jì)算等領(lǐng)域。在集成光電子鏈路中,基于調(diào)制器實(shí)現(xiàn)的電光編碼、及基于探測(cè)器實(shí)現(xiàn)的光電譯碼是光子、微電子芯片的鏈接樞紐。電光、光電轉(zhuǎn)換通常由不同器件實(shí)現(xiàn),即調(diào)制器和探測(cè)器,通常這兩個(gè)器件的結(jié)構(gòu)、功能材料不同;如果電光、光電轉(zhuǎn)換可以在同一個(gè)器件中實(shí)現(xiàn),光電子芯片的集成密度將得到提升、功能也會(huì)得到拓展。

目前,構(gòu)建集成光學(xué)無(wú)源器件的材料主要包括硅、鈮酸鋰、氮化硅、III-V半導(dǎo)體、硫系玻璃等,在這些材料上外延功能材料通常受晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)等參數(shù)的制約,不易實(shí)現(xiàn)單片集成。近年來(lái),二維材料已展現(xiàn)了其在集成光學(xué)器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景:首先,二維材料以范德瓦爾斯力結(jié)合,易于實(shí)現(xiàn)異質(zhì)集成,便于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模器件的開發(fā);其次,二維材料具有超快遷移率,比如石墨烯的遷移率可以達(dá)到2×10? cm2/(V·s),能實(shí)現(xiàn)大帶寬;此外,二維材料還具有可調(diào)的折射率、寬頻譜吸收、強(qiáng)光學(xué)非線性等特性。

波導(dǎo)集成的石墨烯一體化光電器件通?;?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/電容/" target="_blank">電容結(jié)構(gòu),包括石墨烯-絕緣介質(zhì)-石墨烯、石墨烯-絕緣介質(zhì)-硅波導(dǎo)平板電容(如圖1所示)。石墨烯的化學(xué)惰性表使得在其表面沉積高質(zhì)量介質(zhì)薄膜存在工藝上的挑戰(zhàn),同時(shí)介質(zhì)沉積過程也可能對(duì)石墨烯的光電性能產(chǎn)生影響。因此,研究團(tuán)隊(duì)將石墨烯/MoTe2異質(zhì)結(jié)與微環(huán)諧振器集成(如圖1所示),可以避免石墨烯表面的介質(zhì)沉積、簡(jiǎn)化工藝步驟;控制異質(zhì)結(jié)的工作電壓可以有效調(diào)控石墨烯的費(fèi)米能級(jí),改變石墨烯的吸收系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)調(diào)制、探測(cè)一體化集成光電子器件。

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圖1 微環(huán)諧振器集成的石墨烯器件

石墨烯與MoTe2的功函數(shù)不同,在異質(zhì)結(jié)界面會(huì)產(chǎn)生載流子的擴(kuò)散和漂移,形成能帶彎曲;外加偏壓可以調(diào)控石墨烯中載流子濃度,改變石墨烯費(fèi)米能級(jí)的位置、影響石墨烯的吸收系數(shù)和折射率。當(dāng)石墨烯/MoTe2異質(zhì)結(jié)與微環(huán)諧振器上集成時(shí),石墨烯復(fù)折射率的改變會(huì)影響環(huán)形諧振腔的損耗和等效腔長(zhǎng);因此控制異質(zhì)結(jié)的工作電壓,可以有效調(diào)制諧振腔的消光比和諧振峰位,實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)調(diào)控。如圖2b,在10 V偏壓下,器件的調(diào)制深度可以達(dá)到26.7 dB;不同偏壓下諧振波長(zhǎng)的漂移主要源于等離子色散效應(yīng)引起的折射率實(shí)部變化。同時(shí)石墨烯異質(zhì)結(jié)調(diào)制器具有~7.0 GHz的3-dB帶寬、可實(shí)現(xiàn)高速偽隨機(jī)碼的傳輸。

此外,由于石墨烯的零帶隙結(jié)構(gòu)使得其具備寬頻譜吸收特性,在通訊波段可以吸收光子、產(chǎn)生光電子,實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)探測(cè)(如圖3所示)。光譜響應(yīng)呈現(xiàn)波長(zhǎng)依賴性的原因是微環(huán)諧振器增強(qiáng)光與物質(zhì)的相互作用,因此在諧振波長(zhǎng)處光電流達(dá)到極大值;此外,反向偏壓下石墨烯的吸收系數(shù)較大且外加偏壓有利于載流子的收集,因此反偏下光電流更大。

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圖2 微環(huán)集成的石墨烯/MoTe2異質(zhì)結(jié)電光調(diào)制性能表征

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圖3 微環(huán)集成的石墨烯/MoTe2異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)性能表征

該工作報(bào)道了微環(huán)諧振器集成的石墨烯/MoTe2異質(zhì)結(jié)調(diào)制、探測(cè)一體化集成光電子器件,可用做電光調(diào)制、光電探測(cè);該器件不僅工藝簡(jiǎn)單,提供了一種提高集成光電子芯片集成密度的方案,拓展了集成光電子芯片的可編程性及應(yīng)用場(chǎng)景。

審核編輯:彭菁

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原文標(biāo)題:基于石墨烯異質(zhì)結(jié)的調(diào)制、探測(cè)一體化集成光電子器件

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