chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

全球最大碳化硅工廠,竟然是車企建造的?

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-06-27 00:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛透露,比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠,該工廠將會(huì)在今年下半年投產(chǎn),產(chǎn)能規(guī)模全球第一,是第二名的十倍。

比亞迪是國(guó)內(nèi)最早在量產(chǎn)車型上使用碳化硅芯片的車企之一,而作為一家追求全產(chǎn)業(yè)鏈自主的車企,比亞迪實(shí)際上在SiC領(lǐng)域也有極為豐富的布局。

比亞迪的SiC布局——“車圈Wolfspeed

可能很難想象,作為一家車企,比亞迪在SiC領(lǐng)域的布局鏈條竟然比一般的SiC IDM企業(yè)還要廣泛,從襯底、外延,到模塊封裝。一般來說,SiC IDM企業(yè)覆蓋芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造封裝測(cè)試,部分企業(yè)還會(huì)涉及外延的部分,一些頭部企業(yè)出于對(duì)供應(yīng)穩(wěn)定的考慮,還會(huì)通過收購(gòu)等手段布局襯底制造。

比如羅姆在2009年收購(gòu)了德國(guó)SiC襯底和外延片供應(yīng)商SiCrystal,ST在2019年收購(gòu)了碳化硅襯底廠商N(yùn)orstel等。

而早在2017年,在《比亞迪汽車工業(yè)有限公司碳化硅襯底研發(fā)項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)報(bào)告書》中就透露,比亞迪計(jì)劃在坪山比亞迪一期工廠內(nèi)建設(shè)一條研發(fā)碳化硅襯底的試驗(yàn)線。當(dāng)時(shí)計(jì)劃的研發(fā)批次是每年30次,單次碳化硅襯底研發(fā)量為30片。

2020年,官方消息稱,比亞迪中央研究院第三代半導(dǎo)體研究中心已成功攻克碳化硅晶圓襯底全環(huán)節(jié)工藝和設(shè)備制造技術(shù),4英寸碳化硅晶圓性能已達(dá)到世界先進(jìn)水平。

比亞迪的襯底布局近期也有新的消息,碳化硅設(shè)備廠商華索科技透露,該公司在2024年二季度成功中標(biāo)比亞迪研究院SiC襯底加工設(shè)備項(xiàng)目訂單,金額數(shù)千萬元。

不過目前來看,還未有比亞迪碳化硅襯底大規(guī)模量產(chǎn)的消息,但至少比亞迪在碳化硅襯底上是已經(jīng)具備相應(yīng)的技術(shù)儲(chǔ)備。

在去年6月,深圳市生態(tài)環(huán)境局公布了關(guān)于《比亞迪汽車工業(yè)有限公司碳化硅外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書》受理公告。公告中顯示,比亞迪擬在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目,總投資約2.14億元,擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年,總產(chǎn)能達(dá)18000片/年。

功率模塊封裝較為成熟,自研自產(chǎn)SiC MOSFET或即將上車

既然是全產(chǎn)業(yè)鏈,碳化硅晶圓制造方面,比亞迪當(dāng)然也沒有落下。此前在比亞迪半導(dǎo)體的招股書中就有透露擬建設(shè)年產(chǎn)能24萬片的SiC晶圓產(chǎn)線,投資7.36億元,擬募集資金3.12億元。

而SiC MOSFET方面,比亞迪由于有IGBT等功率器件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ),早在2018年比亞迪就宣布成功研發(fā)SiC MOSFET產(chǎn)品了。2020年底,比亞迪透露其SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)迭代至第三代,第四代正在開發(fā)中。

目前根據(jù)拆解得到的信息,比亞迪中高端車型上采用的SiC MOSFET大多采用ST供應(yīng)的產(chǎn)品,可以得知目前比亞迪目前仍未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的SiC MOSFET自產(chǎn),還需要對(duì)外采購(gòu)。

在功率模塊方面,比亞迪公開的信息較豐富。在今年4月的北京車展上,比亞迪就展出了一款1200V 1040A SiC功率模塊,據(jù)介紹,這款功率模塊采用了先進(jìn)的雙面銀燒結(jié)技術(shù),在不改變?cè)蟹庋b尺寸的基礎(chǔ)上將模塊功率大幅提升近30%,突破了高溫封裝材料、高壽命互連設(shè)計(jì)、高散熱設(shè)計(jì)及車規(guī)級(jí)驗(yàn)證等技術(shù)難題,充分發(fā)揮了碳化硅功率器件的高效、高頻、耐高溫優(yōu)勢(shì)。

比亞迪表示,該高功率模塊未來將會(huì)匹配更高功率的新能源汽車平臺(tái)應(yīng)用。

小結(jié):

比亞迪是目前唯一一家在碳化硅領(lǐng)域具備全產(chǎn)業(yè)鏈布局的車企,同時(shí)也作為目前全球最大的新能源汽車廠商,未來對(duì)碳化硅的需求必然巨大。但目前尚未得知全球最大碳化硅工廠是指晶圓制造還是模塊封裝工廠,但無論是哪一個(gè),在未來產(chǎn)能落地后都會(huì)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè),甚至是電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的格局造成一定程度的改變。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3349

    瀏覽量

    51813
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球對(duì)可再生能源、電動(dòng)汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1449次閱讀

    派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部訂單

    近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國(guó)際頂尖
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:32 ?1141次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1175次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 規(guī)級(jí)碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計(jì)。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續(xù)工作,助力
    的頭像 發(fā)表于 08-11 16:54 ?2255次閱讀

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?901次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?841次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球對(duì)綠色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1042次閱讀

    派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1695次閱讀

    國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    器件設(shè)計(jì)公司正在加速被市場(chǎng)拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動(dòng)態(tài),可從以下維度分析這一趨勢(shì): 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競(jìng)賽:頭部企業(yè)構(gòu)建護(hù)城河 技術(shù)門檻高碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?903次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件設(shè)計(jì)公司的倒閉潮是市場(chǎng)集中化的必然結(jié)果

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1861次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅的耐高溫性能

    在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長(zhǎng),特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價(jià)鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?2934次閱讀

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2564次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37