晶圓級封裝是一種先進的半導體封裝技術(shù)，被廣泛應用在存儲器、傳感器、電源管理等對尺寸和成本要求較高的領(lǐng)域中。在這些領(lǐng)域中，這種技術(shù)能夠滿足現(xiàn)代對電子設備的小型化、多功能、低成本需求，為半導體制造商提供了創(chuàng)新的解決方案，更好地應對市場的需求和挑戰(zhàn)。

晶圓級封裝技術(shù)有兩種不同的封裝方式，一種是扇入型封裝，一種是扇出型封裝。下面我們就來深入探討一下這兩種不同封裝方式的特點和對應的封裝工藝。

扇入型晶圓級封裝（FIWLP）

小尺寸芯片的互聯(lián)

直接在晶圓上進行大部分或全部的封裝、測試程序，然后再進行安裝焊球并切割，從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。該種方式適用于I/O數(shù)量相對較少的芯片，因為其空間受限于芯片尺寸，相對來說減少了工藝成本。

工藝流程

從晶圓代工廠（Foundry）生產(chǎn)完成的晶圓（Wafer）經(jīng)過測試后進入生產(chǎn)線

為了將晶圓上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過金屬布線工藝制作再布線層（RDL）

為使芯片成品更輕薄，對晶圓進行減薄加工

之后在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤上進行植球，方便后續(xù)芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接，最后將晶圓進行切割，以得到獨立的芯片

芯片產(chǎn)品通過最終測試后，即可出廠成為芯片成品

扇出型晶圓級封裝（FOWLP）

高性能芯片的擴展

扇出型晶圓級封裝技術(shù)無需使用中介層或硅通孔（TSV），即可實現(xiàn)外形尺寸更小芯片的封裝異構(gòu)集成。在扇出型晶圓級封裝技術(shù)的加持下，具有成千上萬I/O點的半導體器件可通過兩到五微米間隔線實現(xiàn)無縫連接，從而使互連密度最大化。

工藝流程

從晶圓代工廠（Foundry）生產(chǎn)完成的晶圓（Wafer）經(jīng)過測試后進入生產(chǎn)線類似傳統(tǒng)封裝，扇出型封裝第一步也需要將來料晶圓切割成為裸晶。

扇出型封裝的主要特點是將切割后的裸晶組合成為重構(gòu)晶圓，與來料晶圓相比，重構(gòu)晶圓上裸晶之間的距離相對更大，因此方便構(gòu)造單位面積更大，輸入輸出（I/O）更多的芯片成品。

塑封、去除載片：完成重構(gòu)晶圓的貼片后，對重構(gòu)晶圓進行塑封以固定和保護裸晶。然后將重構(gòu)晶圓載片移除，從而將裸晶對外的輸入輸出接口（I/O）露出。

制作再布線層：為了將裸晶上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過金屬布線工藝制作再布線層（RDL）。

晶圓減薄：為使芯片成品更輕薄，對晶圓進行減薄加工。

植球：在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤上進行植球，方便后續(xù)芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接。

晶圓切割、芯片成品：最后將重構(gòu)晶圓進行切割，以得到獨立的芯片。

隨著技術(shù)的發(fā)展，這兩種晶圓級封裝方式也在不斷創(chuàng)新和優(yōu)化，以滿足日益增長的性能和市場需求。長電科技在提供全方位的晶圓級技術(shù)解決方案平臺方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位，提供的解決方案包括扇入型晶圓級封裝（FIWLP）、扇出型晶圓級封裝（FOWLP）、集成無源器件（IPD）、硅通孔（TSV）、包封芯片封裝（ECP）、射頻識別（RFID）。

長電科技是全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服務，包括集成電路的系統(tǒng)集成、設計仿真、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品認證、晶圓中測、晶圓級中道封裝測試、系統(tǒng)級封裝測試、芯片成品測試并可向世界各地的半導體客戶提供直運服務。

通過高集成度的晶圓級（WLP）、2.5D/3D、系統(tǒng)級（SiP）封裝技術(shù)和高性能的倒裝芯片和引線互聯(lián)封裝技術(shù)，長電科技的產(chǎn)品、服務和技術(shù)涵蓋了主流集成電路系統(tǒng)應用，包括網(wǎng)絡通訊、移動終端、高性能計算、車載電子、大數(shù)據(jù)存儲、人工智能與物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)智造等領(lǐng)域。長電科技在中國、韓國和新加坡設有六大生產(chǎn)基地和兩大研發(fā)中心，在20多個國家和地區(qū)設有業(yè)務機構(gòu)，可與全球客戶進行緊密的技術(shù)合作并提供高效的產(chǎn)業(yè)鏈支持。