金屬化薄膜電容氧化時方阻會變大嗎
金屬化薄膜電容器的氧化會導(dǎo)致其表面形成一層氧化物膜。這層氧化物膜通常是絕緣性質(zhì)的，且比金屬本身的電導(dǎo)率低。因此，當(dāng)金屬化薄膜電容器表面發(fā)生氧化時，這層氧化物膜會增加電容器的表面電阻（表面方阻），從而導(dǎo)致電容器的方阻增大。
具體來說，氧化物膜的電阻通常比金屬本身的電阻大幾個數(shù)量級，這意味著當(dāng)氧化物膜形成或增厚時，電容器的表面電阻會顯著增加。這可能會影響電容器在電路中的性能，特別是在需要通過電容器表面進行電流傳輸或接地的情況下，可能會引起信號衰減或失真。
因此，金屬化薄膜電容器氧化時，其表面方阻會顯著變大，這是需要在設(shè)計電路或者選擇電容器時考慮到的因素之一。
審核編輯 黃宇
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