電路設(shè)計(jì)

1. 參考電路：

R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉電阻，當(dāng)SD NAND處于高阻抗模式時(shí)，保護(hù)CMD和DAT線免受總線浮動(dòng)。

即使主機(jī)使用SD NAND SD模式下的1位模式，主機(jī)也應(yīng)通過(guò)上拉電阻上拉所有的DATO-3線。

R6（RCLK）參考0-120Ω。

其他詳細(xì)電路應(yīng)用說(shuō)明，請(qǐng)參考“SDA協(xié)會(huì)規(guī)范”第6章“SD Memory Card Hardware Interface”。

2、電源VDD（VCC_3V3）建議單獨(dú)供電，且需要注意提供SD NAND電流供電能力不小于200mA。

3、下圖是SD協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范，SD NAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V：

為了確保芯片能正常上電初始化，電壓要在0.5V以下至少1ms；電源上升的時(shí)候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時(shí)間是0.1ms-35ms；主機(jī)關(guān)閉電源時(shí)，將卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期為1ms。在斷電期間，DAT, CMD和CLK應(yīng)斷開(kāi)連接或由主機(jī)驅(qū)動(dòng)到邏輯0，以避免工作電流通過(guò)信號(hào)線引出的情況。

Layout設(shè)計(jì)說(shuō)明

1、數(shù)據(jù)線應(yīng)盡量保持等長(zhǎng)，以減少時(shí)序偏差和提高信號(hào)的同步性。

2、對(duì)于CLK時(shí)鐘線，盡可能進(jìn)行包地處理。對(duì)于走線阻抗，控制阻抗50歐姆。

3、SD NAND芯片最好靠近主控芯片放置，以減少走線長(zhǎng)度和干擾。

4、LGA 9*12.5封裝焊盤分兩側(cè) 2*8分布,其中同名網(wǎng)絡(luò) layout 時(shí)可以連接在一起，方便后續(xù)更換物料時(shí)兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm封裝(如下圖)。

5、 layout時(shí)GND腳建議采用類似的“十字”或“梅花”型的連接 有利于過(guò)爐焊接。防止 GND腳整體鋪銅散熱很快導(dǎo)致虛焊假焊現(xiàn)象存在(如下圖)。

貼片注意事項(xiàng)

1、保存要求：若購(gòu)買散包裝，請(qǐng)務(wù)必上線前120℃烘烤8小時(shí)。若物料沒(méi)有全部使用，剩余部分請(qǐng)務(wù)必存放于氮?dú)夤窕虺檎婵毡４?，再次上線前請(qǐng)務(wù)必120℃烘烤8小時(shí)。

2、貼裝順序：若 PCB有 A、B雙面要貼片，建議存儲(chǔ)器件最后貼裝。

3、焊接：LGA/BGA的封裝基板是PCB材質(zhì)，Pad位于底部，相比TSOP、WSON等金屬框架封裝，在焊接上更有難度，有條件的盡可能選擇液體錫膏和加熱臺(tái)，沒(méi)有加熱臺(tái)的可以用風(fēng)槍，風(fēng)槍溫度不要超過(guò) 350℃。

解焊:盡可能選擇加熱臺(tái)，若必須使用風(fēng)槍，建議風(fēng)槍溫度控制在 350℃，30秒以內(nèi)。

4、回流焊

SD NAND回流焊的最高溫度若使用無(wú)鉛焊錫不能超過(guò) 260℃(無(wú)鉛焊錫),若使用無(wú)鉛焊錫不能超過(guò) 235℃，在此峰值溫度下，時(shí)間不能超過(guò)10s.爐溫曲線設(shè)置可參考 IPC-JEDEC J-STD-020規(guī)定要求:

注：此設(shè)計(jì)提示適用于以下MK系列SD NAND