Intel 18A芯片現(xiàn)已上電運行，并順利啟動操作系統(tǒng)，將用于明年推出的新一代客戶端和服務器產品。外部客戶產品將于明年上半年完成流片。

英特爾宣布，基于Intel 18A制程節(jié)點打造的首批產品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務器處理器Clearwater Forest，其樣片現(xiàn)已出廠、上電運行并順利啟動操作系統(tǒng)。距離流片僅隔不到兩個季度，英特爾便再次取得了突破性進展。目前，Panther Lake和Clearwater Forest均進展順利，預計將于2025年開始量產。此外，英特爾還宣布，采用Intel 18A的首家外部客戶預計將于明年上半年完成流片。

英特爾公司高級副總裁兼代工服務總經理Kevin O’Buckley表示：“面向AI時代，我們正在推進多項前沿系統(tǒng)級代工技術，為英特爾產品部門和我們的代工客戶提供對下一代產品至關重要的全棧式創(chuàng)新。我們?yōu)镮ntel 18A目前取得的進展感到鼓舞，并正與客戶密切合作，目標是在2025年將Intel 18A推向市場?！?/p>

上個月，英特爾發(fā)布了Intel 18A PDK（制程設計套件）的1.0版本，讓代工客戶能夠在基于Intel 18A的芯片設計中利用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術。EDA和IP合作伙伴正在完善對Intel 18A的支持，以便其客戶能夠展開新產品的設計。

這些進展表明，英特爾代工率先在向客戶開放的制程節(jié)點上實現(xiàn)了RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術的結合。借助生態(tài)系統(tǒng)提供的 EDA 和 IP 工具以及工藝流程， RibbonFET 和 PowerVia 這兩項突破性的創(chuàng)新技術將通過Intel 18A向代工客戶提供。英特爾代工憑借其有韌性、更可持續(xù)、更可靠的制造能力和供應鏈，以及業(yè)界領先的先進封裝技術，整合了設計和制造下一代規(guī)模更大、運行更高效的AI解決方案所需的要素。

在沒有額外配置或修改的情況下，Panther Lake和Clearwater Forest能夠順利啟動操作系統(tǒng)，清楚地表明了Intel 18A的良好狀況——英特爾預計將于2025年通過這一先進制程技術重獲制程領先性。Panther Lake的DDR內存性能已達到目標頻率，同樣體現(xiàn)了Intel 18A的順利進展。將于明年首次大規(guī)模生產的Clearwater Forest，提供了未來CPU和AI芯片的設計藍圖，結合了RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管、PowerVia背面供電和Foveros Direct 3D先進封裝技術的高性能解決方案，以實現(xiàn)更高密度和功率處理能力。Clearwater Forest也將是采用Intel 3-T base-die技術的首款產品。依托英特爾代工的系統(tǒng)級代工能力，Panther Lake和Clearwater Forest有望在每瓦性能、晶體管密度和單元利用率方面實現(xiàn)顯著提升。

英特爾的EDA和IP合作伙伴已于7月獲得了Intel 18A PDK 1.0版本的訪問權限，正在更新其工具和設計流程，以便外部代工客戶開始基于Intel 18A的芯片設計。這是英特爾代工業(yè)務的一個關鍵里程碑。

Cadence高級副總裁兼定制IC和PCB事業(yè)部總經理Tom Beckley表示：“通過提供業(yè)界領先的EDA和專為Intel 18A優(yōu)化的IP，Cadence與英特爾代工的戰(zhàn)略合作能夠幫助我們的共同客戶加速創(chuàng)新。Intel 18A的最新進展令人鼓舞，我們也很高興能在基于Intel 18A的先進設計上為客戶提供支持?！?/p>

Synopsys EDA事業(yè)部總經理Shankar Krishnamoorthy也表示：“很高興看到英特爾代工抵達關鍵里程碑。英特爾代工已準備好為客戶提供Intel 18A制程節(jié)點，并正在將設計下一代AI解決方案所需的各要素整合在一起，這正是我們的共同客戶需要和期待的。作為芯片設計公司和代工廠之間的橋梁，Synopsys在全球晶圓代工行業(yè)中起著重要作用，我們很榮幸能與英特爾代工合作，面向英特爾的先進制程節(jié)點提供Synopsys領先的EDA和IP解決方案?！?/p>

RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術是Intel 18A的兩項核心技術，有助于處理器的進一步微縮及其能效的持續(xù)提升，這正是推動AI計算的發(fā)展所需要的。RibbonFET能夠嚴格控制晶體管溝道中的電流，有助于芯片組件的進一步小型化，同時可以減少漏電，隨著芯片密度的持續(xù)提升，這一點變得非常重要。PowerVia 則通過將電源線移至晶圓背面，優(yōu)化了信號路由，進而降低了電阻，提高了能效比。RibbonFET和PowerVia的強強聯(lián)合有望大幅提高未來電子設備的計算性能和電池壽命。英特爾率先將結合了全環(huán)繞柵極晶體管架構和背面供電技術的制程節(jié)點推向市場，將使全球代工客戶受益。

審核編輯 黃宇