chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

全球最大碳化硅工廠頭銜易主?又有新8英寸碳化硅產(chǎn)線投產(chǎn)!

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:梁浩斌 ? 2024-08-12 09:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)英飛凌在8月8日宣布,其位于馬來西亞的新工廠一期項目正式啟動運營,這是一座高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠,一期項目投資額高達20億歐元,重點生產(chǎn)碳化硅功率半導體,同時也涵蓋部分氮化鎵外延生產(chǎn)。

進入2024年下半年,在過去幾年時間里全球各地投資的8英寸碳化硅產(chǎn)線也開始逐步落地投入使用,在英飛凌之外,近期三安半導體、安森美等也有8英寸碳化硅產(chǎn)線的新進展。

大廠8英寸產(chǎn)線陸續(xù)落地

英飛凌這次投產(chǎn)的工廠是居林工廠第三廠區(qū)的一期項目,在目前已經(jīng)完成的一期項目之后,還將會有第二期項目的擴建,投資額相比第一期更高,高達50億歐元。在二期項目建成后,將成為全球規(guī)模最大且最高效的8英寸碳化硅功率半導體晶圓廠。

英飛凌在官網(wǎng)透露,居林工廠第三廠區(qū)已經(jīng)獲得了總價值約 50 億歐元的設計訂單,并且收到了來自新老客戶約 10 億歐元的預付款。據(jù)稱這些設計訂單來自包括汽車行業(yè)的六家整車廠以及可再生能源和工業(yè)等不同領域客戶。

另外英飛凌居林工廠第三廠區(qū)將與英飛凌位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地緊密相連,后者是英飛凌功率半導體的全球能力中心。英飛凌已于 2023 年提高了菲拉赫工廠在碳化硅和氮化鎵功率半導體方面的產(chǎn)能。兩座生產(chǎn)基地形成了一個專注于寬禁帶技術的“虛擬協(xié)同工廠”,可以共享技術和工藝,并以此實現(xiàn)快速量產(chǎn)和平穩(wěn)高效地運營。

今年5月,芯聯(lián)集成宣布8英寸碳化硅晶圓工程批順利下線,成為國內首家開啟8英寸SiC制造的晶圓廠。在產(chǎn)線打通后,量產(chǎn)節(jié)奏也將加速。芯聯(lián)集成7月在投資者互動平臺上透露,其目前擁有一條8英寸碳化硅實驗線,已實現(xiàn)工程批通線,而量產(chǎn)產(chǎn)線的建設進展順利,預計今年第四季度開始向客戶送樣,2025年進入規(guī)模量產(chǎn)。

士蘭微旗下士蘭集宏半導體的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目也在6月正式開工,該產(chǎn)線將以SiC MOSFET為主要產(chǎn)品,計劃投資120億元,總產(chǎn)能規(guī)模達到6萬片/月,預計在2025年三季度末實現(xiàn)初步通線。

另一家國內碳化硅大廠三安半導體,在7月24日舉行了芯片二廠M6B大樓的設備入場儀式,M6B是三安布局碳化硅產(chǎn)業(yè)的重要一環(huán),設備入場也標志著三安SiC項目二期距離通線不遠了。M6B預計將會在今年12月點亮通線,正式投產(chǎn)8英寸碳化硅芯片。

三安的碳化硅項目總投資達160億人民幣,旨在打造6英寸/8英寸兼容碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達產(chǎn)后,將具備年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓、48萬片8英寸碳化硅晶圓的制造能力。

車企跨界入局碳化硅也是值得關注的攪局者。比亞迪品牌及公關處總經(jīng)理李云飛早前透露,比亞迪新建碳化硅工廠將成為行業(yè)最大的工廠,該工廠將會在今年下半年投產(chǎn),產(chǎn)能規(guī)模全球第一,是第二名的十倍。這或許會給全球碳化硅市場帶來不小的沖擊。

安森美也計劃在今年年底前推出8英寸碳化硅晶圓,按照安森美的計劃,今年會實現(xiàn)8英寸碳化硅的認證,包括從襯底到晶圓廠的全產(chǎn)業(yè)鏈8英寸碳化硅認證,并在2025年正式投產(chǎn)。

目前唯一在大規(guī)模量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底和晶圓的Wolfspeed,今年較早前公布了其8英寸晶圓產(chǎn)線利用率達到20%,預計在2024年底其襯底產(chǎn)能能夠支撐25%的碳化硅晶圓產(chǎn)線利用率。

碳化硅在汽車市場持續(xù)擴張,國產(chǎn)廠商發(fā)力

在Yole2024年最新的功率碳化硅市場報告中顯示,2023年,功率碳化硅市場總體規(guī)模約27億美元,其中汽車應用占比高達77%,工業(yè)占21%,其余消費電子通信、數(shù)據(jù)中心、國防、醫(yī)療等應用合計占比不到3%。

而隨著電動汽車的發(fā)展,yole預測汽車應用在功率碳化硅市場中的占比仍還有上漲空間,預計到2029年,功率碳化硅市場規(guī)模將達到104億美元,其中汽車應用占比將提升至82%,工業(yè)以及其他應用的份額合計占比將至不到20%。這也證明了汽車市場對于功率碳化硅的重要性。

由于汽車領域對于器件的可靠性等有極高的要求,在汽車應用的車規(guī)碳化硅MOSFET等一直以來都是由海外大廠,比如英飛凌、ST、安森美、羅姆等占據(jù)核心地位。作為電動汽車發(fā)展領先的國家,相關產(chǎn)業(yè)鏈盡管在起步上有所落后,但近幾年我們可以看到很多本土的功率碳化硅廠商都開始進入汽車市場,推出車規(guī)級產(chǎn)品。

根據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)年初的統(tǒng)計數(shù)據(jù),在2023年一年間,就有超過15家本土碳化硅廠商推出了車規(guī)級碳化硅MOSFET新品。比如本土模擬芯片龍頭之一納芯微也宣布入局碳化硅領域,并推出了全系1200V耐壓,包括Rdson(Vgs=18V)14/22/40/60mΩ四種規(guī)格的碳化硅MOSFET產(chǎn)品。

瞻芯電子在今年6月宣布其第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn),該工藝平臺將在瞻芯電子位于浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠上落地。同時其基于第三代工藝平臺開發(fā),應用于車載電驅系統(tǒng)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)也已經(jīng)通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。

小結:

近兩年我們看到國內已經(jīng)有多家廠商推出了車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品,但從MOSFET到模塊再到上車,從OBC到電驅,還需要一定的過程。但目前來看,國產(chǎn)廠商與本土車企的合作推進速度也較快,隨著本土碳化硅產(chǎn)能的提升,以及產(chǎn)品的逐漸成熟,未來大規(guī)模穩(wěn)定供應之下,國產(chǎn)碳化硅廠商有望能夠在龐大的電動汽車產(chǎn)業(yè)中找到屬于自己的地位。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3397

    瀏覽量

    51969
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    12英寸碳化硅外延片突破!外延設備同步交付

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 , 短短兩天內,中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)接連迎來重磅突破。12月23日,廈門瀚天天成宣布成功開發(fā)全球首款12英寸高質量碳化硅(SiC)外延晶片;次日, 晶盛機電 便官宣其自主研發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:55 ?1148次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1575次閱讀

    加速!12英寸碳化硅襯底中試來了!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進展!9月26日,晶盛機電宣布,首條12英寸碳化硅襯底加工中試在晶盛機電子公司浙江晶瑞Su
    的頭像 發(fā)表于 09-29 08:59 ?4872次閱讀

    AR光波導+先進封裝雙驅動,12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件,但功率器件市場需求增速存在瓶頸,從6英寸8英寸的進程花費時間較長,除了
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:13 ?6527次閱讀

    重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國外壟斷!

    了國內相關技術應用的空白,更為第三代半導體關鍵制造裝備的國產(chǎn)化進程注入了強大動力,同時也為全球碳化硅產(chǎn)業(yè)突破成本瓶頸、提升生產(chǎn)效率開辟了創(chuàng)新路徑。 此前,該激光剝離技術已在6英寸、8
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1531次閱讀

    數(shù)據(jù)中心電源客戶已實現(xiàn)量產(chǎn)!三安光電碳化硅最新進展

    16000片/月,配套產(chǎn)能即從襯底、外延、芯片制程,到封測的全流程產(chǎn)能。8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能為1000片/月,外延產(chǎn)能2000片/月,目前8英寸
    發(fā)表于 09-09 07:31 ?1760次閱讀

    碳化硅器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1344次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1013次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)的崛起與技術突破 1.1 國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?987次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術的
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1133次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2935次閱讀

    三安光電與意法半導體重慶8英寸碳化硅項目通

    三安光電和意法半導體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預計將在2025年四季度
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:12 ?1661次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?2024次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術介紹

    碳化硅的耐高溫性能

    在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?3244次閱讀

    碳化硅在半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2794次閱讀