150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù)，特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA）相對(duì)上一代降低43.8%，具備更高的電流密度和功率密度。同時(shí)，二極管反向恢復(fù)特性大幅優(yōu)化，反向恢復(fù)電荷Qg相對(duì)上一代降低43%，更利于減小電路應(yīng)用中的電壓、電流尖峰，增強(qiáng)電路系統(tǒng)穩(wěn)定性。另外，從器件本身出發(fā)，通過(guò)設(shè)計(jì)優(yōu)化，加強(qiáng)了柵極抗振蕩能力，使其更不易發(fā)生米勒振蕩，減少電路應(yīng)用的開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本。全系產(chǎn)品的閾值電壓Vth相對(duì)上一代產(chǎn)品也做了提升，最大程度防止誤開(kāi)啟現(xiàn)象。

150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品廣泛適用于新能源汽車OBC、通信服務(wù)器、光伏儲(chǔ)能、不間斷電源UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，可提供TO-220、TO-263、TO-247、TOLL、DFN5x6等封裝形式。

產(chǎn)品型號(hào)

產(chǎn)品特點(diǎn)

◆超低特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA）

◆ 極優(yōu)品質(zhì)因子FOM（導(dǎo)通電阻Ron*柵極總電荷Qg）

◆ 更高閾值電壓Vth，防止誤開(kāi)啟

◆超低反向恢復(fù)電荷Qrr、超快反向恢復(fù)時(shí)間Trr

◆ 更低反向恢復(fù)電流Irrm

◆極高功率密度

◆更優(yōu)抗振蕩能力

◆ 更強(qiáng)魯棒性

應(yīng)用價(jià)值

◆ 在使用相同封裝的情況下，相對(duì)上一代產(chǎn)品，導(dǎo)通損耗降幅高達(dá)43%

◆ 根據(jù)應(yīng)用的不同，采用150V Gen.3產(chǎn)品，可使用更小的封裝

◆ 針對(duì)并聯(lián)MOSFET以減少漏源導(dǎo)通電阻的應(yīng)用，150V Gen.3可盡可能減少并聯(lián)MOSFET數(shù)量甚至避免并聯(lián)，所需空間更少，更具成本優(yōu)勢(shì)

◆ 更快的二極管反向恢復(fù)能力，利于減小電路應(yīng)用中的電壓尖峰、電流尖峰，對(duì)EMC特性和能效產(chǎn)生了積極影響

◆ 優(yōu)化抗振蕩能力，相同外圍條件下，相對(duì)上一代產(chǎn)品更不易發(fā)生米勒振蕩，減少開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本

應(yīng)用領(lǐng)域

◆ 新能源汽車OBC

◆ 通信服務(wù)器

◆ 光伏儲(chǔ)能

◆ 不間斷電源UPS

◆ 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

附：新潔能Gen.3 SGT MOSFET命名規(guī)則