chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

ZK150G002TP:SGT技術賦能的150V高壓大電流MOSFET標桿

中科微電半導體 ? 2025-10-31 11:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子高壓電流應用場景中,MOSFET的性能直接決定了整個系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載屏蔽柵(SGT)技術的N溝道MOSFET,以150V的額定電壓、200A的超大電流承載能力及優(yōu)異的綜合參數,成為高壓功率控制領域的核心優(yōu)選器件,為各類大功率電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定高效的功率開關解決方案。
核心參數解析:高壓大電流場景的性能基石
ZK150G002TP的參數配置精準匹配高壓大電流工況的嚴苛需求,每一項核心指標都經過精心優(yōu)化,構建起強大的性能護城河。從參數表中“ZK150G002TP、N、150V、200A、±20、3、2.8、3.2、TO-247、SGT”這些關鍵信息中,我們能清晰解讀其核心競爭力。
作為一款N溝道MOSFET,ZK150G002TP以電子為主要導電載流子,具備更快的開關響應速度,這為高頻功率轉換場景提供了先天優(yōu)勢。150V的額定電壓使其能穩(wěn)定應對工業(yè)電源、光伏逆變器等場景中的高壓輸入需求,配合200A的超大額定電流,可輕松承載大功率設備的電流輸出,解決了傳統(tǒng)MOSFET在大負載下易過載損壞的痛點。
參數中的±20代表其具備±20V的柵極電壓耐受范圍,寬柵壓設計讓器件在復雜電路環(huán)境中不易因柵極電壓波動而受損,提升了電路設計的靈活性。而3Ω·mm2的導通電阻系數(Rds(on)×A)、2.8V的典型開啟電壓(VGS(th))及3.2V的最大開啟電壓,則從損耗控制與驅動便捷性上進一步優(yōu)化了產品性能——低導通電阻意味著在大電流工作時導通損耗顯著降低,減少設備發(fā)熱;適中的開啟電壓則降低了驅動電路的設計難度,無需額外搭建復雜的柵極驅動模塊。
TO-247封裝與SGT技術的組合更是這款器件的點睛之筆。TO-247封裝作為大功率半導體器件的經典封裝形式,具備優(yōu)異的散熱性能與機械強度,能快速將器件工作時產生的熱量傳導至散熱片,保障器件在200A大電流下長期穩(wěn)定運行;而屏蔽柵(SGT)技術的應用,則是其實現“高壓、大電流、低損耗”三重優(yōu)勢的核心技術支撐。
SGT技術加持:重構高壓MOSFET的性能邊界
ZK150G002TP的卓越性能,很大程度上源于屏蔽柵(SGT)技術的深度賦能。相較于傳統(tǒng)的溝槽型(Trench)MOSFET,SGT技術通過在柵極下方引入屏蔽層結構,從根本上優(yōu)化了器件的電場分布與電荷控制能力,帶來了多維度的性能突破。
1. 低導通損耗與高耐壓的完美平衡
傳統(tǒng)MOSFET往往面臨“高壓與低導通電阻不可兼得”的困境,而SGT技術通過屏蔽層對電場的調控,在提升器件擊穿電壓(BVdss)至150V的同時,有效降低了導通電阻。ZK150G002TP的低導通電阻特性,使其在200A大電流工作時,導通損耗較傳統(tǒng)同規(guī)格器件降低20%以上,不僅提升了系統(tǒng)的能源轉換效率,還減少了器件發(fā)熱,為系統(tǒng)的小型化設計創(chuàng)造了條件——更低的發(fā)熱量意味著散熱系統(tǒng)可進一步精簡,節(jié)省設備空間與成本。
2. 優(yōu)異的開關特性,適配高頻場景
SGT結構對柵極電荷(Qg)的精準控制,讓ZK150G002TP具備更快的開關速度。在高頻功率轉換拓撲(如LLC諧振拓撲)中,快速的開通與關斷速度能顯著減少開關損耗,避免器件在高頻開關過程中因電壓電流交疊產生過多熱量。這一特性使其在高頻工業(yè)電源、光伏微型逆變器等需要高頻工作的場景中表現突出,保障系統(tǒng)在高功率密度下仍能穩(wěn)定運行。
3. 更強的抗干擾與可靠性
屏蔽層的存在不僅優(yōu)化了電場分布,還增強了器件的抗浪涌能力與噪聲抑制能力。在工業(yè)現場等復雜電磁環(huán)境中,ZK150G002TP能有效抵御電壓沖擊與電磁干擾,減少因外部干擾導致的誤動作;同時,SGT結構的均勻電流分布特性,降低了器件局部過熱的風險,配合TO-247封裝的高效散熱,使器件的工作壽命大幅延長,MTBF(平均無故障時間)提升至10萬小時以上,滿足工業(yè)級設備長壽命、高可靠的使用需求。
精準適配場景:高壓大功率領域的全能選手
基于150V高壓、200A大電流及SGT技術帶來的優(yōu)異性能,ZK150G002TP已在多個高壓大功率領域實現深度應用,成為推動相關行業(yè)技術升級的核心器件。
1. 工業(yè)控制與大功率電源領域
工業(yè)自動化設備的伺服驅動器、變頻器中,ZK150G002TP作為核心功率開關器件,負責電機驅動電路的電流控制。200A的大電流承載能力可滿足中大功率電機的驅動需求,150V的耐壓則適配工業(yè)電源的高壓輸入,而低導通損耗特性能提升驅動器的能源效率,降低生產車間的能耗成本。在大功率開關電源、不間斷電源(UPS)中,其高頻開關特性與高可靠性,可提升電源的功率密度與轉換效率,助力實現電源產品的小型化與節(jié)能化。
2. 新能源發(fā)電與儲能領域
在光伏逆變器中,ZK150G002TP用于直流側的功率轉換環(huán)節(jié),150V的電壓等級適配光伏組件的串聯高壓輸出,200A的大電流則能滿足集中式逆變器的功率輸出需求。其低損耗特性可提升逆變器的發(fā)電效率,幫助光伏系統(tǒng)實現更高的發(fā)電量;在儲能系統(tǒng)的充放電控制器中,器件能穩(wěn)定控制充放電電流與電壓,保障儲能電池的安全運行,同時提升充放電效率。
3. 電動汽車與車載電源領域
在新能源汽車的車載輔助電源(OBC)與DC-DC轉換器中,ZK150G002TP承擔著高壓轉低壓的功率開關任務。150V的耐壓適配車載高壓電池的電壓范圍,200A的電流能力可滿足車載空調、娛樂系統(tǒng)等大功率負載的供電需求。TO-247封裝的高可靠性與寬溫工作特性,能適應汽車行駛過程中的高溫、振動等復雜工況,保障車載電子系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。此外,其低損耗特性還能降低車載電源的能耗,間接提升電動汽車的續(xù)航里程。
4. 特種電源與測試設備領域
在電焊機、激光切割機等特種設備的電源系統(tǒng)中,ZK150G002TP憑借高壓大電流的性能優(yōu)勢,實現對焊接電流、激光功率的精準控制,提升設備的工作穩(wěn)定性與加工精度;在大功率電子測試設備中,器件的寬參數范圍與高可靠性,為測試設備提供了穩(wěn)定的功率輸出,保障測試數據的準確性。
應用價值總結:為高壓大電流系統(tǒng)賦能增效
ZK150G002TP并非簡單的功率開關器件,而是融合了SGT先進技術與精準參數設計的“功率控制核心”。其150V高壓、200A大電流的性能配置,解決了高壓大功率場景中器件選型難的問題;SGT技術帶來的低損耗、高頻化、高可靠特性,則從效率、性能、壽命三個維度為系統(tǒng)增值。
對于企業(yè)用戶而言,選用ZK150G002TP不僅能簡化電路設計,降低驅動電路與散熱系統(tǒng)的成本投入,還能提升終端產品的能效與可靠性,增強產品的市場競爭力。在新能源、工業(yè)4.0等產業(yè)快速發(fā)展的當下,ZK150G002TP這類高性能MOSFET將成為推動高壓大功率電子系統(tǒng)升級的重要支撐,為各類工業(yè)與能源領域的發(fā)展注入強勁動力。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電子元器件
    +關注

    關注

    134

    文章

    3755

    瀏覽量

    112635
  • 場效應管
    +關注

    關注

    47

    文章

    1274

    瀏覽量

    69619
  • MOS
    MOS
    +關注

    關注

    32

    文章

    1511

    瀏覽量

    99396
  • 驅動芯片
    +關注

    關注

    13

    文章

    1530

    瀏覽量

    57487
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SL3170國產內置150V高耐壓MOS管ADJ輸出可調1A電流

    技術優(yōu)化輕載效率,并集成多重保護機制,適用于電動工具、備用電源等高可靠性場景。 ?二、核心特性? 高壓集成設計? 內置150V MOSFET,簡化外部電路 支持12
    發(fā)表于 08-07 15:40

    SL3160 高耐壓150V內置MOS管 降壓5V輸出 適應高耐壓低電流方案

    SL3160 150V/0.8A 開關降壓型轉換器 概述 SL3160 是一款用于開關電源的內置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。 SL3160 內置
    發(fā)表于 09-18 14:44

    IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷

    IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列150V和200
    發(fā)表于 08-18 12:00 ?1505次閱讀

    150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力

    150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力
    發(fā)表于 03-19 04:35 ?11次下載
    <b class='flag-5'>150V</b> 快速<b class='flag-5'>高壓</b>側受保護的 N 溝道  <b class='flag-5'>MOSFET</b> 驅動器提供 100% 占空比能力

    快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力

    快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
    發(fā)表于 03-20 11:56 ?2次下載
    快速 <b class='flag-5'>150V</b> <b class='flag-5'>高壓</b>側 N 溝道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 驅動器 提供 100% 占空比能力

    美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET

    美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。MXT MV
    的頭像 發(fā)表于 10-12 17:15 ?2024次閱讀

    安建半導體推出全新150V SGT MOSFET產品平臺

    安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺,平臺采用先進的技術和設計,提供了卓越的開關特性和低導通電阻,從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作,不僅可
    的頭像 發(fā)表于 01-23 13:36 ?1573次閱讀
    安建半導體推出全新<b class='flag-5'>150V</b> <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>產品平臺

    強茂推出最新的60V、100V150V車規(guī)級MOSFET

    強茂推出最新的60V、100V150V車規(guī)級MOSFET,此系列專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設計提供優(yōu)異性能和效率。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 11:42 ?2014次閱讀
    強茂推出最新的60<b class='flag-5'>V</b>、100<b class='flag-5'>V</b>和<b class='flag-5'>150V</b>車規(guī)級<b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新潔150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品介紹

    150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品采用全新屏蔽柵溝槽技術,特征導通電阻Rsp(導通電阻Ron*芯片面積AA)相對上一代降低43.8%,具備更高的
    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:36 ?1486次閱讀
    新潔<b class='flag-5'>能</b><b class='flag-5'>150V</b> Gen.3 <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列產品介紹

    上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品介紹

    上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產品。貝嶺150V SGT系列產品采用業(yè)界先進工藝,使得器件具有良好的柵極漏
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:19 ?1781次閱讀
    上海貝嶺<b class='flag-5'>150V</b> <b class='flag-5'>SGT</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列產品介紹

    SGT工藝的功率核心:中科微電MOS管ZK150G09P深度解析

    中科微電ZK150G09P以SGT工藝為核心,通過低損耗、高可靠、易集成的特性組合,為中大功率電子設備提供了高性能的國產解決方案。從工業(yè)電機的高效驅動到儲系統(tǒng)的安全防護,該器件不僅彰顯了中國功率
    的頭像 發(fā)表于 10-14 16:53 ?508次閱讀
    <b class='flag-5'>SGT</b>工藝<b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的功率核心:中科微電MOS管<b class='flag-5'>ZK150G</b>09P深度解析

    ZK150G002B:SGT工藝的中壓大電流MOSFET技術解析

    ZK150G002B,以150V耐壓、200A電流、TO-220封裝及SGT(屏蔽柵溝槽)工藝為核心標簽,構建起“高壓耐受、大流低耗”的性
    的頭像 發(fā)表于 11-04 15:20 ?87次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK150G002</b>B:<b class='flag-5'>SGT</b>工藝<b class='flag-5'>賦</b><b class='flag-5'>能</b>的中壓大<b class='flag-5'>電流</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技術</b>解析

    ZK150G130B:SGT工藝加持的中壓功率控制新選擇

    ZK150G130B,以150V耐壓、132A連續(xù)電流、TO-263-2L薄型封裝及SGT(屏蔽柵溝槽)工藝為核心特征,精準匹配中壓場景的性能痛點,其
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:00 ?64次閱讀
    <b class='flag-5'>ZK150G</b>130B:<b class='flag-5'>SGT</b>工藝加持的中壓功率控制新選擇

    中科微電ZK150G09T:SGT工藝驅動的中壓小封裝MOSFET創(chuàng)新實踐

    中科微電研發(fā)的N溝道MOSFET ZK150G09T,以150V耐壓、90A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝及SGT(屏蔽柵溝槽)工藝為
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:20 ?115次閱讀
    中科微電<b class='flag-5'>ZK150G</b>09T:<b class='flag-5'>SGT</b>工藝驅動的中壓小封裝<b class='flag-5'>MOSFET</b>創(chuàng)新實踐

    中科微電ZK150G05T:中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新

    中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T,以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標簽,精準匹配3-8kW級中壓場景的功率控制需求,其參數設計與應用
    的頭像 發(fā)表于 11-04 16:27 ?329次閱讀
    中科微電<b class='flag-5'>ZK150G</b>05T:中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新