美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布其192GB SOCAMM2(small outline compression attached memory modules,小型壓縮附加內(nèi)存模塊)已正式送樣,以積極拓展
發(fā)表于 10-23 17:55
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2025年9月24日,美光在2025財年第四季度財報電話會議中確認(rèn),第四代高帶寬內(nèi)存(HBM4)將于2026年第二季度量產(chǎn)出貨,2026年下半年進(jìn)入產(chǎn)能爬坡階段。其送樣客戶的HBM4產(chǎn)品傳輸速率突破
發(fā)表于 09-26 16:42
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2025年7月,美光西安工廠以732分的卓越成績,正式斬獲EFQM(歐洲質(zhì)量管理基金會)七鉆認(rèn)證,成為全球前1.5%獲此殊榮的企業(yè)之一。
發(fā)表于 09-01 17:24
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與頂尖高校緊密合作、賦能青年人才成長的生動注腳。從清華學(xué)子的前沿探訪到西安交大的深度實踐,美光正以實際行動踐行著對人才培養(yǎng)的承諾。
發(fā)表于 08-14 10:08
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隨著數(shù)據(jù)中心對AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長,高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM
發(fā)表于 06-18 09:41
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楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足
發(fā)表于 05-09 16:37
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率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級)DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品。得益于美光此前在 1α(1-alpha)
發(fā)表于 02-26 13:58
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大內(nèi)存制造商深入討論SOCAMM規(guī)范的商業(yè)化落地可能性。這意味著,SOCAMM內(nèi)存模組有望最早在今年年底實現(xiàn)量產(chǎn),為全球用戶帶來更加高效、穩(wěn)定的內(nèi)存
發(fā)表于 02-19 11:41
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近日,美光科技宣布即將開始量產(chǎn)其最新的12層堆棧高帶寬內(nèi)存(HBM),并將這一高性能產(chǎn)品供應(yīng)給領(lǐng)先的AI半導(dǎo)體公司英偉達(dá)。這一消息的發(fā)布,標(biāo)志著美
發(fā)表于 02-18 14:51
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深圳市嘉合勁威電子科技有限公司(簡稱“嘉合勁威”)正在積極研發(fā)一款專為AI專業(yè)應(yīng)用設(shè)計的新一代內(nèi)存產(chǎn)品——MRDIMM。這款產(chǎn)品的誕生,旨在通過技術(shù)創(chuàng)新,為AI運算提供更加高效、經(jīng)濟(jì)的硬件支持
發(fā)表于 02-12 11:28
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近日,全球DRAM內(nèi)存巨頭之一的美光科技公司宣布,將正式進(jìn)軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內(nèi)存市場。目前,美
發(fā)表于 01-17 14:14
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近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——美光宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項目已于當(dāng)?shù)貢r間今日正式破土動工。這座
發(fā)表于 01-09 16:02
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為進(jìn)一步助力專業(yè)科技人才的培養(yǎng),美光作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍者,受邀在中國頂尖學(xué)府開設(shè) “美光課堂”。該課堂致力于為學(xué)生提供
發(fā)表于 01-09 15:31
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隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,對先進(jìn)存儲芯片的需求日益增長。在此背景下,美光科技宣布將在新加坡投資70億美元,擴(kuò)建其制造業(yè)務(wù),以滿足市場需求。 周三,美
發(fā)表于 01-09 11:34
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,美光科技預(yù)計今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,美光近期將具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行
發(fā)表于 01-07 17:08
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