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1995年起，富士通半導(dǎo)體開始開發(fā)FRAM，具有17年以上的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。迄今為止來自世界43個國家的客戶咨詢過FRAM的200多種應(yīng)用產(chǎn)品。

FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID 標(biāo)簽等醫(yī)療領(lǐng)域。近年來，還被應(yīng)用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人以及無人機(jī)中。

之前我們多次介紹過FRAM的優(yōu)勢、技術(shù)特點(diǎn)等。今天，我們就介紹下富士通最最最最最熱門的三款FRAM產(chǎn)品。

壹：業(yè)界尺寸最小的超小型封裝FRAM

富士通開發(fā)了業(yè)界尺寸最小的超小型封裝1Mbit 串行FRAM——MB85RS1MT，這是一款8引腳晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP）的產(chǎn)品，現(xiàn)已開始供貨。

與傳統(tǒng)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOP封裝相比，WL-CSP大約為SOP的23%，能夠減少約77%的安裝面積。而且，本W(wǎng)L-CSP的厚度為0.33mm，約是信用卡的一半，從安裝體積比來看，能夠減少大約95%的體積。

另外，與同為非易失性存儲器的通用EEPROM相比，MB85RS1MT的寫入時間較短，從而能夠大幅降低寫入時的功耗。

因此，將該FRAM引入需要頻繁實(shí)時記錄原始數(shù)據(jù)的可穿戴設(shè)備，將有利于延長電池的使用壽命或?qū)崿F(xiàn)電池的小型化。

貳：能以54Mbyte/秒的速度傳輸數(shù)據(jù)的FRAM

富士通開發(fā)出了在Quad SPI接口非易失性RAM市場里最大容量的4Mbit FRAM ——MB85RQ4ML，其能夠以54Mbyte/秒的速度傳輸數(shù)據(jù)。

MB85RQ4ML采用1.8V的獨(dú)立電源，Quad SPI接口，并以108MHz的動作頻率實(shí)現(xiàn)了54Mbyte/秒的數(shù)據(jù)傳輸。在富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品中，具有16bit輸入輸出引腳的44引腳的并行接口的4Mbit FRAM的最快，為13Mbyte/秒，而本產(chǎn)品以較少的引腳實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)于4倍速度的數(shù)據(jù)讀寫。

因?yàn)榫哂懈咚賱幼骷胺且资缘奶攸c(diǎn)，所以MB85RQ4ML成為網(wǎng)絡(luò)、RAID控制器、工業(yè)計(jì)算領(lǐng)域的最佳選擇。

叁：滿足125°C工作要求的FRAM

富士通的FRAM廣泛應(yīng)用于電力儀表、辦公設(shè)備及產(chǎn)業(yè)設(shè)備市場。目前提供的FRAM高溫端最大工作保證溫度為85℃，但為了適應(yīng)車載設(shè)備市場的要求，公司正在開發(fā)將工作溫度提高至125℃的面向車載的FRAM產(chǎn)品。面向車載的FRAM產(chǎn)品已本月開始量產(chǎn)，剛得到的消息是本周已經(jīng)出貨。

該新產(chǎn)品不僅將工作溫度提高至125℃，而且為了滿足車載設(shè)備市場的高質(zhì)量要求，公司重新評估和修改內(nèi)部設(shè)計(jì)回路，提高產(chǎn)品可靠性。車載用FRAM依據(jù)AEC-Q100可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，可滿足PPAP。

如今圍繞車載設(shè)備的環(huán)境，廢氣排放得到嚴(yán)格限制，并要求低能耗，且安全裝備等都是利用電子器件進(jìn)行復(fù)雜控制。為了實(shí)現(xiàn)低能耗，就需要更多的使用斷電后仍能保留數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。另外，出現(xiàn)問題時，因?yàn)橹匾脑紨?shù)據(jù)都須保留在存儲器中，這就要求存儲器具有高可靠性及快速寫入的性能。

富士通生產(chǎn)的高可靠性、高性能FRAM非易失性存儲器滿足了車載設(shè)備市場的上述需求。

富士通的FRAM產(chǎn)品憑借著由強(qiáng)大技術(shù)能力支撐的高質(zhì)量與穩(wěn)定的產(chǎn)品供貨，長期被要求高可靠性存儲器的客戶所愛用。今后，我們將進(jìn)一步降低存儲器的功耗，擴(kuò)大存儲器的操作溫度范圍，加大存儲器的容量，同時繼續(xù)開發(fā)最適合客戶用途的產(chǎn)品。

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