交流分析屬于經(jīng)典的反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)資料中的內(nèi)容,涉及一個與并聯(lián)穩(wěn)壓器如流行的 TL431 相關(guān)的光耦。隨著智能手機和其他平板電腦的出現(xiàn),適配器市場(更確切地說是旅行適配器市場)的趨勢是減少這個連接到電源的“黑盒子”的大小和成本。實現(xiàn)這些目標(biāo)的可能性有哪些?
一種選擇是簡化反饋鏈,并采用初級側(cè)調(diào)節(jié)型結(jié)構(gòu)。雖然通過初級端繞組的調(diào)節(jié)是一個眾所周知的法則,但已經(jīng)推出了一些改進(jìn),如更好的整體精度和能控制輸出電流而無需實際測量?,F(xiàn)在這些初級側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)控制器常見于各種應(yīng)用中,并與現(xiàn)有的基于光耦的設(shè)計競爭。然而,在 PSR 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的文獻(xiàn)中不包括補償。為了補償電源,必須進(jìn)行交流分析,如采用平均模型。
本文將介紹一個采用光耦的經(jīng)典的反激式轉(zhuǎn)換器和 PSR 反激之間的主要差異。然后,我們將看看如何建立一個 PSR 反激的平均模型(其中包括所需的采樣保持電路)并簡化它,而不影響傳遞函數(shù)。我們將評估傳遞函數(shù)并得出結(jié)果,并將傳遞函數(shù)的 Mathcad 圖與轉(zhuǎn)換器的仿真進(jìn)行比較。最后,將繪制環(huán)路補償和進(jìn)行所需的計算以調(diào)節(jié)相位裕度。
經(jīng)典的反激式對比 PSR
術(shù)語經(jīng)典的反激式指一個環(huán)路基于一個次級并聯(lián)穩(wěn)壓器如 TL431 和一個用來向初級端傳遞信息的光耦。這種轉(zhuǎn)換器的典型原理圖如圖1所示。

圖1.經(jīng)典的反激式結(jié)構(gòu)的簡化原理圖。
在該配置中,輸出電壓在次級端被直接檢測。通過調(diào)制光耦 LED 電流,調(diào)節(jié)信息將被發(fā)送到初級端控制器,調(diào)節(jié)頻率和/或初級峰值電流以保持輸出電壓處于額定值。
然而,光耦是個相對昂貴的器件,比簡單的貼片 (SMD) 電阻或電容器占用更多的印刷電路板 (PCB) 空間(如0603封裝),因為每年隨手機付運的旅行適配器數(shù)以百萬計,消除次級端電路和光耦對制造商將是實實在在的經(jīng)濟效益。因此,新的方案被開發(fā),以消除這些器件,如圖2所示,同時保持調(diào)節(jié)精度與經(jīng)典的反激式達(dá)到的精度相似。

圖2 基于 PSR 的反激式結(jié)構(gòu)簡化示意圖。
PSR 的原理
從圖2中的原理圖可以看出,初級端(高壓)和隔離次級端(低直流電壓)之間的唯一連接是變壓器。從安全和可靠性角度來看,取消光耦提供優(yōu)勢:光耦老化時會發(fā)生漂移(例如電流傳輸比 (CTR) 下降),并且還容易受到外部擾動的影響。

圖3. 在反激式變壓器上或其附近測得的 SPICE 波形。
關(guān)閉期間,受初級-次級匝數(shù)比 NPS(Nsecondary/Nprimary) 的影響,漏電壓 (VDS) 為輸入電壓與輸出電壓之和。
接下來,我們重點看看次級繞組電壓 (VSEC) 。關(guān)閉期間(即初級端 MOSFET 關(guān)閉時)的電壓等于輸出電壓與由輸出整流器和輸出電容決定的電壓之和。在 toff 期間,輸出整流器二極管導(dǎo)通,向負(fù)載供電并對輸出電容充電。如果放大次級繞組電壓,如圖4所示,我們會看到電壓會隨二極管電流下降。這個斜率源于二極管動態(tài)電阻 rd。

圖4.二極管動態(tài)電阻對次級繞組電壓的影響
(仿真曲線)。
事實上,二極管上的壓降為兩個參數(shù)之和:
-
導(dǎo)通閾值:VT0
-
動態(tài)電阻上的壓降:。
VT0 是一個因技術(shù)而異的參數(shù),rd 則取決于給定二極管的工作點。輔助繞組上的電壓將呈現(xiàn)出與次級繞組電壓相同的形態(tài),但其電壓值會受輔助匝數(shù)比的影響。借助圖4,我們可以輕松地發(fā)現(xiàn),如果初級端控制器在消磁時間開始時(即圖4中第一條垂直虛線出現(xiàn)的位置)對電壓采樣,則輸出電壓信息會受電流的影響。在滿載條件下,輸出電壓將比輕載工作條件下低。動態(tài)電阻的存在是造成這一差異的原因。
為了正確地向控制器發(fā)出信息,我們的 PSR 電路精確檢測核心退磁的結(jié)束-輔助電壓拐點-在采樣該電壓前。這種技術(shù)自然得出一個正確的輸出電壓表達(dá)式。在實踐中,在控制器裸片內(nèi),采樣保持電路連接到 Vs/ ZCD 引腳 - 用來檢測輔助電壓的零交越點和進(jìn)行 CV 調(diào)節(jié)的引腳 - 來實現(xiàn)此特性。然后將采樣信號與參考電壓進(jìn)行比較,并通過圖5所示的運算跨導(dǎo)放大器(OTA)產(chǎn)生恒定電壓調(diào)節(jié)。

圖5 恒壓調(diào)節(jié)的簡化示意圖。
圖6的波形顯示了與采樣過程有關(guān)的曲線。連接到紅色曲線(OTA)的信號與參考電壓進(jìn)行比較,并周期性地刷新,而不受輸出電流的影響。得益于這種方法,在輸出負(fù)載或輸入電壓的恒定電壓調(diào)節(jié)是準(zhǔn)確的。負(fù)載調(diào)節(jié)性能如圖7所示:在輸出功率范圍,我們實現(xiàn)了好0.5%的性能,這是一個傳統(tǒng)的、簡單的基于輔助的轉(zhuǎn)換器不能達(dá)到的。

圖6 刷新電壓進(jìn)行 CV 調(diào)節(jié)。

圖7 恒定電壓調(diào)節(jié)用作在實驗室中測量 PSR 控制器的負(fù)載電流和輸入電壓。
采用初級端調(diào)節(jié)拓?fù)涞墓β始壠骄P?/strong>
研究我們的轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性的一個選擇是使用一個平均模型。為了創(chuàng)建這個模型,我們將使用參考文獻(xiàn)[ 1 ]中提到的90年代推出的脈沖寬度調(diào)制(PWM)開關(guān)模型,并用于準(zhǔn)諧振(QR)工作。PWM 開關(guān)背后的原理是建立一個由二極管和主 MOSFET 構(gòu)成的模型,其在開關(guān)過程中產(chǎn)生不連續(xù)。這種方法形成一個簡單的大信號三引腳模型,后線性化用于頻率響應(yīng)的研究。由于文獻(xiàn)中涵蓋了這種方法(參見參考文獻(xiàn)[ 1 ]和[ 2 ] ],我們就不花費更多的時間在這個主題上。
使用 PWM 開關(guān)模型用于 QR 反激式拓?fù)?,可繪制出如圖8的原理圖。

圖8 反激轉(zhuǎn)換器中的PWM開關(guān)模型。
此原理圖在變壓器周圍集成了所有器件,現(xiàn)在沒有簡化。連接到次級繞組,我們可以確定輸出電容(Cout)及其等效串聯(lián)電阻(Resr1)和輸出負(fù)載(Rload)。在輔助繞組上,可見Vcc電容(CVcc)與 ESR(Resr2)串聯(lián)。同時,IC 已被建模,電阻 RIC 。最后,電阻也存在輔助繞組和 ZCD 引腳之間連接。在 SPICE 中仿真這個原理圖,我們可以提取功率級(Ctrl節(jié)點到Vout)的控制輸出波特圖。圖9顯示了結(jié)果。請注意,雖然仿真圖8原理圖中使用的器件值沒顯示,但這些值是實際應(yīng)用的代表。

圖9 功率級傳遞函數(shù)。
我們來選擇一個交越頻率 fc,在1千赫處。這是在快速瞬態(tài)響應(yīng)和良好的抗噪性之間一個很好的權(quán)衡。在 DCM 電流模式反激式轉(zhuǎn)換器中的右半平面零點(RHPZ)遠(yuǎn)離且不干擾我們。在這截止頻率處,功率級衰減測量為19.5分貝和相位為- 88.9°。
因為反饋信號由輔助繞組生成,我們需要建立一個與在 Vaux 節(jié)點觀察到的輸出相同的波特圖(圖10),相位形態(tài)沒有改變但幅值曲線受到變壓器匝數(shù)比的影響:

(1)

圖10 輔助繞組上的傳遞函數(shù)。
使用此平均模型配置,輸出端的所有器件都會自動反映到輔助繞組。在這里,這兩個二極管都有可以忽略不計的動態(tài)電阻,并視為短路。
功率級平均模型的簡化
下一步將包括簡化原理圖和減少器件的數(shù)量,而不改變傳遞函數(shù)。在圖8中的原理圖,我們看到有三個繞組:第一個繞組是初級繞組,第二個與功率傳輸(次級功率繞組)有關(guān),而第三個繞組用于輸出電壓的測量。它也被設(shè)計用來為控制器供電(輔助繞組)。
由于最后的目標(biāo)是繪制開環(huán)傳遞函數(shù),我們將以單個次級端繞組盡量簡化變壓器。所有的波特圖將不在本文顯示,第一步是要去掉 IC 的電阻,然后是 Vcc 電容。最后可能的簡化是反映連接次級端到輔助繞組的器件。
讓我們把重點放在如圖11所示的變壓器上。和圖8比較,連接到輔助繞組的元件數(shù)量現(xiàn)在受限于 ZCD 引腳橋電阻。連接初級到電源次級和輔助繞組的匝數(shù)比分別記為 NPS 和 NPA
其中

圖11 變壓器及次級器件。簡化這個原理圖將使我們能夠簡化功率級平均模型。
為了更清晰易懂,我們將分為兩步。首先,輸出電容和電阻負(fù)載被反映到初級端,如圖12所示。然后,這些元素將從初級到輔助繞組被反映出來。

圖12 輸出電容和負(fù)載反映到初級端。
變壓器周圍的反射元件
如果我們視電路器件為理想的,這些器件是如何反射到變壓器的,特別是使二極管有 0? 動態(tài)電阻?讓我們來看看圖13中繪制的理想變壓器的方程。

圖13 理想變壓器。

實際應(yīng)用
基于NCP1365 的 PSR 轉(zhuǎn)換器已裝配為如圖26所示。前面計算的元件值已被用于補償部分并焊接到電路板上。5V 輸出適用于每秒 1A 至 2A 的負(fù)載。如圖27所證實,瞬態(tài)響應(yīng)極佳,與輸入電壓無關(guān)。

在低壓和高壓條件下測量的瞬態(tài)響應(yīng)證實轉(zhuǎn)換器的極佳穩(wěn)定性。
總結(jié)
本文討論了兩個主要議題:反激轉(zhuǎn)換器在初級端調(diào)節(jié)下的工作模式和功率級平均模型的使用,以分析其運行。我們在建模過程中取得了進(jìn)展,先仿真一個我們已添加了一個輔助繞組的簡單的 QR 功率級。最后,引入采樣保持電路。
有了現(xiàn)代初級端調(diào)節(jié)控制器,經(jīng)典的反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和 PSR 之間的差異在于調(diào)節(jié)方式的執(zhí)行。有了精心設(shè)計的變壓器,調(diào)節(jié)和穩(wěn)定性非常接近基于光耦的電源。
在本文的第二部分,我們展示了一個在控制器 IC 內(nèi)集成采樣保持電路的初級端調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)的計算。得益于 Mathcad 軟件,我們能夠由傳遞函數(shù)建立波特圖,并將它和本文前面提到的仿真模型進(jìn)行比較。兩個波形結(jié)果相似。
最后,所需的補償電路已被定義和規(guī)范為相匹配的相位裕度要求。根據(jù)本文,您能夠為一個使用PSR的轉(zhuǎn)換器設(shè)計 type-2 補償電路。當(dāng)然,同樣的方法也可以用于其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),例如用于實現(xiàn)功率因數(shù)校正的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
實際上,一些 PSR 控制器內(nèi)置補償,所以設(shè)計師沒有這個設(shè)計選擇。但是采用本文所列的安森美半導(dǎo)體 PSR 控制器(以及以后的其它器件),通過建模來設(shè)計外部補償電路的能力將省去設(shè)計者以前可能依賴的試錯法。
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原文標(biāo)題:為初級端調(diào)節(jié)反激式轉(zhuǎn)換器建立一個平均模型
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