實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對(duì)稱(chēng)型Doherty放大器QPD2731
Qorvo宣布推出一款全新的非對(duì)稱(chēng)型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客戶(hù)在設(shè)計(jì)無(wú)線(xiàn)基站設(shè)備的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管，可最大限度提高線(xiàn)性度、效率和增益，并最終降低運(yùn)營(yíng)成本。
Strategy Analytics 服務(wù)總監(jiān) Eric Higham表示，相比 GaAs 和 InP 等其他高頻技術(shù)，GaN 器件可以處理更高的功率；相比 LDMOS 等其他功率技術(shù)，GaN 的頻率性能更出色。”
Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理 Roger Hall 表示：“如今的電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)就是要實(shí)現(xiàn)可降低成本的高功效。我們的客戶(hù)告訴我們，隨著運(yùn)營(yíng)商在線(xiàn)提供更多功能，新型 GaN-on-SiC QPD2731 晶體管可實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)?！?/p>
因?yàn)?LDMOS 和 GaN-on-Si 與之相比，熱性能較差，客戶(hù)正越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向使用 GaN-SiC，以大幅改善無(wú)線(xiàn)基站的性能、線(xiàn)性度和效率。QPD2731 通過(guò)預(yù)匹配分立式GaN-on-SiC 高電子遷移率晶體管（HEMT）實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)變。目前提供樣片的這款新型放大器可在 2.5 至 2.7 GHz 的工作范圍內(nèi)提供業(yè)內(nèi)最高性能。
根據(jù) Qorvo 之前發(fā)布的內(nèi)容，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的市售第三方 DPD 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn) QPD2731 的線(xiàn)性化。
Qorvo 提供包含不同功率、電壓和頻率級(jí)別水平的廣泛的氮化鎵（GaN）分立式晶體管產(chǎn)品，采用裸片級(jí)和封裝級(jí)解決方案。
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原文標(biāo)題：實(shí)現(xiàn)超高功效的新一代非對(duì)稱(chēng)型Doherty放大器QPD2731
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