Qorvo宣布推出一款全新的非對稱型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客戶在設計無線基站設備的過程中實現(xiàn)超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管,可最大限度提高線性度、效率和增益,并最終降低運營成本。
Strategy Analytics 服務總監(jiān) Eric Higham表示,相比 GaAs 和 InP 等其他高頻技術,GaN 器件可以處理更高的功率;相比 LDMOS 等其他功率技術,GaN 的頻率性能更出色。”
Qorvo 高性能解決方案業(yè)務部門總經(jīng)理 Roger Hall 表示:“如今的電信基礎設施設計就是要實現(xiàn)可降低成本的高功效。我們的客戶告訴我們,隨著運營商在線提供更多功能,新型 GaN-on-SiC QPD2731 晶體管可實現(xiàn)這些目標?!?/p>
因為 LDMOS 和 GaN-on-Si 與之相比,熱性能較差,客戶正越來越多地轉向使用 GaN-SiC,以大幅改善無線基站的性能、線性度和效率。QPD2731 通過預匹配分立式GaN-on-SiC 高電子遷移率晶體管(HEMT)實現(xiàn)這一轉變。目前提供樣片的這款新型放大器可在 2.5 至 2.7 GHz 的工作范圍內提供業(yè)內最高性能。
根據(jù) Qorvo 之前發(fā)布的內容,通過標準的市售第三方 DPD 系統(tǒng)可實現(xiàn) QPD2731 的線性化。
Qorvo 提供包含不同功率、電壓和頻率級別水平的廣泛的氮化鎵(GaN)分立式晶體管產品,采用裸片級和封裝級解決方案。
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原文標題:實現(xiàn)超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
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