深圳銀聯(lián)寶科技的12W充電器芯片U6773V內(nèi)置軟啟動(dòng)功能來(lái)減緩功率MOS開(kāi)啟時(shí)的電壓應(yīng)力，在輕載情況下，控制器通過(guò)降低開(kāi)關(guān)頻率來(lái)很好的調(diào)節(jié)和提高效率，在空載情況下，滿(mǎn)足待機(jī)功耗在70mW以?xún)?nèi)。當(dāng)輸出短路時(shí)，控制器可以使開(kāi)關(guān)頻率箝位在16KHz，能夠提高系統(tǒng)的可靠性。

充電器芯片U6773V是高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器，應(yīng)用靈活性?xún)r(jià)比高，最大限度地減少了系統(tǒng)元件的數(shù)目，用頻率調(diào)制方法來(lái)提高系統(tǒng)效率和減小電磁干擾。且系統(tǒng)效率輕松達(dá)到六級(jí)能效。還內(nèi)置線(xiàn)纜壓降補(bǔ)償，由此取得良好的負(fù)載調(diào)整率。

12W充電器芯片U6773V采用內(nèi)置MOS SOP-7封裝，管腳名稱(chēng)為：

1 VCC 輸入芯片電源

2 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制

3 CPC 連接到GND的輸出電纜補(bǔ)償

4 CS 電流采樣輸入管腳

5、6 Drain 內(nèi)部功率管的漏極

7 GND P 芯片參考地

充電器芯片U6773V內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。處于開(kāi)關(guān)工作模式，只適用于DCM和QR工作模式的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)VDET<-400mV，控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)啟；當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的電流降低到閾值-10mV時(shí)，控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET關(guān)閉。

12W充電器芯片U6773V原邊反饋/內(nèi)置MOSFET內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償，省去額外的補(bǔ)償或?yàn)V波電容提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線(xiàn)和減小電磁干擾，可實(shí)現(xiàn)輕載無(wú)異音多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器。U6773V具有節(jié)能環(huán)保特性，而且電磁兼容性較強(qiáng)，外圍電路也很簡(jiǎn)單，成本有優(yōu)勢(shì)！