簡化的MOSFET等效電路，看Rds和Rg電阻損耗
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
150文章
9103瀏覽量
225956 -
電阻損耗
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
2瀏覽量
2093
原文標(biāo)題：影響B(tài)UCK電源效率的關(guān)鍵因素竟是這幾點......
文章出處：【微信號：Mouser-Community，微信公眾號：貿(mào)澤電子設(shè)計圈】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動電路：柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化
PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動電路中，MOSFET作為功率開關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss
無需鉗位電路，精準(zhǔn)測量GaN動態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)
(on)），一直是設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)。動態(tài)RDS(on)揭示了電荷俘獲效應(yīng)的影響，直接影響器件的傳導(dǎo)損耗和效率。傳統(tǒng)測量方法依賴硬件鉗位電路，不僅引入誤差源，也增加了測試復(fù)雜度
求助：三極管等效電路圖計算
各位大神，請教一下這個題目怎么計算？
下面那個圖是我自己做的微等效電路圖，不知道對不對，錯在哪個地方？我找了好些答案看不太懂，請各位大神指點迷津，謝謝！*附件：1.pdf
我判斷是共基電路，為什么很多地方說是共射電路，思考了好
發(fā)表于 09-03 15:47
SiC MOSFET模塊的損耗計算
為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計算與IGBT既有相似之處，也有不同。相對IGBT，MOSFET可以反向?qū)?，即工作?/div>
![的頭像]()
發(fā)表于 06-18 17:44
?3607次閱讀
SiC MOSFET計算損耗的方法
本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進(jìn)行分割，并使用近似公式計算功率
SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計
吸收電路參數(shù)之間的關(guān)系，并求解出緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化區(qū)間，最后通過仿真和實驗驗證該方法的正確性。1.? SiC-MOSFET 半橋主電路拓?fù)浼捌?b class='flag-5'>等
發(fā)表于 04-23 11:25
互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計
MOSFET 的極間電容較大，其等效電路如圖 1 所示，輸入電容 Ciss，輸出電容 Coss 和反饋電容 Crss 與極間電容的關(guān)系可表示為：
功率 MOSFET 的柵極輸入端相當(dāng)于一個容性網(wǎng)絡(luò)，它
發(fā)表于 03-27 14:48
MOSFET與IGBT的區(qū)別
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)有的器件水平。
導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路（見圖1）可看出，完全調(diào)節(jié)PNP BJT集電極基極區(qū)的少數(shù)
發(fā)表于 03-25 13:43
MOSFET開關(guān)損耗計算
Power MOSFET 設(shè)計電源時，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSFET
發(fā)表于 03-24 15:03
一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計算?。。夥e分）
選用 Power MOSFET 設(shè)計電源時，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSF
發(fā)表于 03-06 15:59
MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
MOSFET輸入電容，Rg為MOSFET的柵極電阻。
VGS電壓從0增加到開啟閾值電壓VTH前，漏極沒有電流流過，時間t1為：
VGS電壓從VTH增加到米勒平臺電壓VGP的時間t
發(fā)表于 02-26 14:41
電能質(zhì)量與電力損耗關(guān)系
下降或損壞，同時增加線路的電阻損耗。因為當(dāng)電壓偏低時，電流增大，線路的電阻損耗也隨之增加；而當(dāng)電壓偏高時，雖然電流減小，但設(shè)備可能因過電壓而損壞，間接導(dǎo)致電力損耗增加。 電壓波動與閃變 ： 電壓波動是指電壓方均根值一
全方位解剖MOS管
全方位解剖MOS管 功率MOSFET的正向?qū)?b class='flag-5'>等效電路 （1）：等效電路 （2）：說明： 功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻
- 設(shè)計技術(shù)
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術(shù)
- 測量儀表
- 嵌入式技術(shù)
- 制造/封裝
- 模擬技術(shù)
- RF/無線
- 接口/總線/驅(qū)動
- 處理器/DSP
- EDA/IC設(shè)計
- 存儲技術(shù)
- 光電顯示
- EMC/EMI設(shè)計
- 連接器
- 行業(yè)應(yīng)用
- LEDs
- 汽車電子
- 音視頻及家電
- 通信網(wǎng)絡(luò)
- 醫(yī)療電子
- 人工智能
- 虛擬現(xiàn)實
- 可穿戴設(shè)備
- 機(jī)器人
- 安全設(shè)備/系統(tǒng)
- 軍用/航空電子
- 移動通信
- 工業(yè)控制
- 便攜設(shè)備
- 觸控感測
- 物聯(lián)網(wǎng)
- 智能電網(wǎng)
- 區(qū)塊鏈
- 新科技
- 特色內(nèi)容
- 專欄推薦
- 學(xué)院
- 設(shè)計資源
- 設(shè)計技術(shù)
- 電子百科
- 電子視頻
- 元器件知識
- 工具箱
- VIP會員
- 最新技術(shù)文章
- 產(chǎn)品地圖
- 品牌地圖
- 供應(yīng)鏈服務(wù)
- 硬件開發(fā)
- 華秋電路
- 華秋商城
- 華秋智造
- nextPCB
- BOM配單
- 媒體服務(wù)
- 網(wǎng)站廣告
- 在線研討會
- 活動策劃
- 新聞發(fā)布
- 新品發(fā)布
- 小測驗
- 設(shè)計大賽
- 華秋
- 關(guān)于我們
- 投資關(guān)系
- 新聞動態(tài)
- 加入我們
- 聯(lián)系我們
- 舉報投訴
- 社交網(wǎng)絡(luò)
- 微博
- 移動端
- 發(fā)燒友APP
- 硬聲APP
- WAP
- 聯(lián)系我們
- 廣告合作
- 王婉珠：wangwanzhu@elecfans.com
- 內(nèi)容合作
- 黃晶晶：huangjingjing@elecfans.com
- 內(nèi)容合作（海外）
- 張迎輝：mikezhang@elecfans.com
- 供應(yīng)鏈服務(wù) PCB/IC/PCBA
- 江良華：lanhu@huaqiu.com
- 投資合作
- 曾海銀：zenghaiyin@huaqiu.com
- 社區(qū)合作
- 劉勇：liuyong@huaqiu.com
-
關(guān)注我們的微信
-
下載發(fā)燒友APP
-
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號-1
評論