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μA級(jí)一體化半導(dǎo)體指紋模組 支持存儲(chǔ)100枚指紋

海凌科物聯(lián) ? 2024-09-22 08:03 ? 次閱讀
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海凌科新款指紋模塊HLK-ZW121,集成低功耗ARM Cortex-M4內(nèi)核,運(yùn)行360°自適應(yīng)自學(xué)習(xí)算法,功耗低至uA級(jí)。

ONE

產(chǎn)品介紹

新款一體化半導(dǎo)體指紋模組

HLK-ZW121是一款一體化半導(dǎo)體指紋處理模組,由主動(dòng)式半導(dǎo)體指紋采集SENSOR和指紋識(shí)別處理芯片構(gòu)成。指紋識(shí)別算法芯片采用高性能、低功耗ARM Cortex-M4內(nèi)核,運(yùn)行360°自適應(yīng)自學(xué)習(xí)算法。

半導(dǎo)體Sensor采用主動(dòng)式射頻采集方式,支持低功耗手指檢測(cè),省去外掛手指觸摸檢測(cè)芯片,集成度高,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。同時(shí)提供七彩燈效果,可根據(jù)用戶需求定制不同顏色以及顯示方式。

243c4246-7876-11ef-bb4b-92fbcf53809c.png

TWO

產(chǎn)品特點(diǎn)

新款一體化半導(dǎo)體指紋模組

HLK-ZW121指紋模塊封裝 ?21mm*6.2mm,體積小巧,應(yīng)用簡(jiǎn)單,uA級(jí)功耗。

低功耗ARM Cortex-M4內(nèi)核

HLK-ZW121指紋模塊自帶ARM Cortex-M4內(nèi)核,使得這款指紋模塊的功耗更低、效率更高。


ZW121典型靜態(tài)功耗10μA,典型工作電流40mA,超低功耗,讓產(chǎn)品的使用壽命更長(zhǎng)。

高分辨率低誤識(shí)率

HLK-ZW121指紋模塊的分辨率為508DPI,像素為160*160,即使在手指表面有污漬、水分或輕微干燥的情況下,也能捕捉到清晰、準(zhǔn)確的指紋圖像。

模塊的認(rèn)假率 FAR<0.001%,?拒真率 FRR<0.1%,識(shí)別準(zhǔn)確性高,誤識(shí)率低。

指紋識(shí)別快速準(zhǔn)確

HLK-ZW121指紋模塊指紋比對(duì)速度<0.6s,模塊啟動(dòng)時(shí)間 <0.28s,模塊采像時(shí)間 <0.03s,快速識(shí)別驗(yàn)證用戶身份。

經(jīng)久耐用 可靠性強(qiáng)

HLK-ZW121指紋模塊存儲(chǔ)容量 100 枚,可以滿足指紋門鎖、智能門禁以及考勤系統(tǒng)等。

該指紋模塊表現(xiàn)出出色的穩(wěn)定性和耐久性,能夠在長(zhǎng)期使用中保持穩(wěn)定的性能,且模塊還擁有百萬次的按壓使用次數(shù)。

THREE

模塊參數(shù)

新款一體化半導(dǎo)體指紋模組

— 半導(dǎo)體指紋傳感器

—傳感器表面覆蓋保護(hù)涂層

UART 接口

—1.0mm 連接器,支持可靠連接

—指紋模組支持 3.3V 供電

ESD 防護(hù)等級(jí)>15KV

—支持存儲(chǔ) 100 枚指紋特征

—認(rèn)假率 FAR<0.001%

—拒真率 FRR<0.1%

—啟動(dòng)時(shí)間 <0.28s

—采像時(shí)間 <0.03s

FOUR

應(yīng)用場(chǎng)景

新款一體化半導(dǎo)體指紋模組

安全領(lǐng)域

HLK-ZW121指紋模塊具備體積小巧、功耗低、安全可靠等特點(diǎn),可以用于指紋門鎖、保險(xiǎn)柜、首飾盒等,用指紋識(shí)別來驗(yàn)證用戶身份,更方便更安全。

管理領(lǐng)域

在銀行ATM機(jī)、自助服務(wù)終端、保險(xiǎn)箱等金融設(shè)備中,HLK-ZW121指紋模塊可用于身份驗(yàn)證,確保只有授權(quán)人員才能訪問和操作設(shè)備。增強(qiáng)安全性,簡(jiǎn)化操作流程,提升用戶體驗(yàn)。

金融等身份認(rèn)證領(lǐng)域

HLK-ZW121指紋模塊還可以用于門禁系統(tǒng)、POS 機(jī)、考勤機(jī)等領(lǐng)域中,快速指紋識(shí)別認(rèn)證,既安全又高效。

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